CVD SiC 핀

반도체 장치가 더 작은 형상과 더 높은 통합 수준을 향해 계속 발전함에 따라 프로세스 장비는 점점 더 까다로워지는 조건에서 작동해야 합니다. 플라즈마 에칭, 고급 증착 및 고온 제조 환경은 챔버 구성 요소를 극심한 열 스트레스, 공격적인 반응성 가스 및 고에너지 이온 충격에 노출시킵니다.

이러한 과제를 해결하기 위해 Semicorex는 고급 화학 기상 증착(CVD) 기술을 통해 제조된 고밀도 고체 탄화규소 부품인 CVD SiC Fin을 제공합니다. 일반적으로 측정 단위가 수십 또는 수백 마이크론에 불과한 기존 SiC 박막 코팅과 달리 CVD SiC Fin은 두께가 500μm~10,000μm에 이르는 훨씬 더 두껍고 완전 밀도가 높은 탄화규소 구조입니다.

이 독특한 구조는 가장 까다로운 반도체 처리 환경에서 탁월한 내구성, 더 긴 서비스 수명 및 탁월한 성능을 제공합니다.

CVD SiC 핀의 차이점은 무엇입니까?

많은 반도체 부품은 보호를 위해 SiC 코팅 흑연 또는 박막 SiC 코팅에 의존합니다. 이러한 솔루션은 적당한 공정 조건에서 잘 작동하지만 심각한 플라즈마 노출과 확장된 작동 주기에는 보다 견고한 재료 시스템이 필요한 경우가 많습니다.

CVD SiC Fin은 단순한 표면 코팅이 아닌 두껍고 고순도의 탄화규소 본체로 제조됩니다. 결과 구조는 다음을 제공합니다.

재료 두께가 훨씬 더 두꺼워졌습니다.

더 높은 구조적 무결성

플라즈마 침식에 대한 탁월한 저항성

더 길어진 작동 수명

향상된 치수 안정성

오염 위험 감소

두꺼운 제조의 복잡성CVD SiC 부품특히 복잡한 기하학적 구조와 정밀한 형상을 생산할 때 표준 박막 제품보다 훨씬 더 높습니다.

고순도 치밀한 SiC 구조

CVD 증착 공정은 다공성이 최소화되고 순도가 뛰어난 매우 조밀하고 균일한 탄화규소 재료를 생산합니다.

주요 재료 특성은 다음과 같습니다.

• 초고순도 SiC 조성
• 고밀도 및 낮은 다공성
• 우수한 화학적 불활성
• 뛰어난 열 안정성
• 우수한 내식성
• 매우 낮은 입자 발생

이러한 특성은 공정 오염이 장치 성능과 생산 수율에 직접적인 영향을 미칠 수 있는 반도체 제조 환경에 중요합니다.

플라즈마 환경에서 탁월한 성능

최신 에칭 공정은 시간이 지남에 따라 기존 재료를 공격할 수 있는 반응성이 높은 플라즈마 종을 생성합니다. 플라즈마에 노출된 부품은 치수 정확도와 표면 무결성을 유지하면서 지속적인 충격을 견뎌야 합니다.

CVD SiC핀은 다음에 대한 탁월한 저항력을 제공합니다.

불소 기반 플라즈마 화학

염소 기반 에칭 환경

이온 충격

화학적 부식

열 순환

조밀한 미세 구조는 재료 품질 저하를 크게 줄이고, 연장된 생산 기간 동안 안정적인 공정 조건을 유지하는 데 도움이 됩니다.

이는 공정 반복성과 장비 가동 시간이 중요한 고급 집적 회로 제조에서 이 소재를 특히 유용하게 만듭니다.

초고온 애플리케이션용으로 설계됨

플라즈마 저항성 외에도 CVD SiC Fin은 극한의 열 조건에서도 탁월한 성능을 발휘합니다.

탄화규소는 기존의 많은 엔지니어링 재료에 도전하는 온도에서도 기계적 강도와 치수 안정성을 유지하는 능력으로 잘 알려져 있습니다.

장점은 다음과 같습니다:

• 우수한 열충격 저항
• 낮은 열팽창
• 고온 기계적 안정성
• 열변형에 대한 저항성
• 열악한 환경에서도 장기적인 신뢰성

Semicorex는 다음을 포함하여 다양한 형상의 CVD SiC 부품을 제조하는 데 필요한 기술 전문 지식을 보유하고 있습니다.

• 지느러미
• 반지
  
• 방패
• 초점 구성 요소
• 가스 분배 요소
• 챔버 라이너
• 맞춤형 플라즈마 직면 부품

반도체 제조 분야의 응용

CVD SiC 핀 구성 요소는 반도체 제조 장비 전체, 특히 공격적인 공정 조건에 노출된 영역에서 널리 사용됩니다.

일반적인 응용 분야는 다음과 같습니다.

플라즈마 에칭 시스템

건식 에칭 챔버

반도체 증착 장비

고급 논리소자 제조

메모리 소자 생산

전력반도체 가공

화합물 반도체 제조