SiC 코팅 흑연 웨이퍼 캐리어

반도체 웨이퍼 제조에서는 후속 단계에서 반도체 장치를 제조할 수 있도록 웨이퍼 기판 위에 에피텍셜 층을 성장시켜야 합니다. 웨이퍼 기판과 직접 접촉하는 웨이퍼 에피택셜 공정에서 없어서는 안될 소모성 부품인 SiC 코팅 흑연 웨이퍼 캐리어의 성능은 에피택셜 재료 성장의 균일성과 순도에 상당한 영향을 미칩니다. 이러한 이유로 사용자가 최적의 SiC 코팅 흑연 웨이퍼 캐리어를 선택하는 것이 중요합니다.

웨이퍼 캐리어 베이스 제작을 위해 고순도 흑연을 채택하고 균일한CVD SiC 코팅웨이퍼 캐리어에 "보호 갑옷"을 제공하기 위해 Semicorex는 까다로운 에피택셜 공정에서 웨이퍼 기판에 안정적인 구조적 지원을 제공할 수 있는 고품질 SiC 코팅 흑연 웨이퍼 캐리어를 제공하는 데 전념하고 있으며 이를 통해 에피택셜 재료의 안정적이고 신뢰할 수 있는 성장을 보장합니다.

1. 프리미엄 그라파이트 베이스

A. 흑연 베이스는 우수한 열 전도성을 갖고 있어 에피택셜 공정 중 빠르고 균일한 열 분포가 가능합니다.

B. 상대적으로 낮은 열팽창 계수를 특징으로 하는 흑연 베이스는SiC 코팅 흑연 웨이퍼 캐리어쉽게 변형되지 않고 빈번한 열 사이클을 견딜 수 있습니다.

C. 흑연 재료는 뛰어난 기계적 강도를 자랑하므로 당사의 SiC 코팅 흑연 웨이퍼 캐리어는 장기간의 에피택시 적용 중에 웨이퍼 기판을 안전하게 지지할 수 있습니다.

2. 신뢰할 수 있는 CVD SiC 코팅

A. 초고청정도

CVD SiC 코팅의 순도는 ppb 수준에 도달할 수 있으며, 이는 웨이퍼 캐리어와 웨이퍼 기판 사이의 오염을 최소화하여 반도체 산업의 엄격한 청결 요구 사항을 완전히 충족합니다.

B. 안정적인 보호

CVD SiC 코팅은 조밀한 구조를 특징으로 하며 흑연 베이스를 고온 및 고부식성 환경으로부터 완전히 격리할 수 있으며 흑연 베이스의 화학적 부식 및 산화를 효과적으로 억제하여 장기간 사용 시 SiC 코팅 흑연 웨이퍼 캐리어의 안정적인 작동을 보장합니다.

C. 강한 접착력

CVD SiC 코팅은 뛰어난 열 전도성을 제공하고 흑연 베이스와 유사한 열 팽창을 제공합니다. 흑연 베이스와의 결합력이 강해 급격한 온도 변화에도 갈라지거나 벗겨지는 현상이 적습니다.