솔리드 SiC 포커스 링

플라즈마 에칭 공정 중에 RF 장, 이온 에너지, 라디칼 이동 및 열 분포의 변화가 웨이퍼 가장자리에서 발생하는 경향이 있습니다. 이는 에칭 속도 변동, 임계 치수 이동, 프로파일 왜곡, 가장자리 결함 및 수율 손실을 포함한 문제에 취약한 가장자리 영역을 만듭니다. 고급 메모리 및 로직 칩 제조의 경우 웨이퍼 가장자리의 사소한 편차는 전체 웨이퍼의 공정 성능에 증폭된 영향을 미칩니다. 이러한 이유로 초점 링은 업계에서 널리 채택됩니다. 에칭 챔버 내의 웨이퍼 주위에 배치된 포커스 링은 플라즈마 적용 범위를 정밀하게 제한하고 웨이퍼 가장자리를 과도한 에칭으로부터 보호하여 전반적인 공정 균일성과 생산 수율을 크게 향상시킵니다.

Semicorex Solid SiC 포커스 링을 선택하는 이유는 무엇입니까?

1. 우수한 재료 특성

기존과는 다른석영 초점 링플라즈마 침식 저항이 제한적이며실리콘 포커스 링집중적인 에칭으로 인해 급속한 소모가 발생하는 Semicorex 솔리드 SiC 포커스 링은CVD 성장 탄화규소는 완전히 조밀하고 바인더가 없는 내부 구조를 특징으로 하며 아래와 같이 여러 가지 우수한 재료 특성을 제공합니다.

A. 재료 순도(ppb 수준)가 높고 불순물 함량이 낮습니다.

B. 치밀한 재료 구조와 낮은 다공성

C. 더 낮은 탈기 수준

D. 더 나은 열 안정성

E. 더 단단한 재료 경도와 우수한 내마모성

F. 보다 안정적인 내식성

주요 재료 매개변수

위의 데이터는 참고용입니다.

2. 높은 수준의 제조 관리

통합 생산 라인과 전문 기술 팀을 바탕으로 Semicorex는 탄탄한 기술 전문 지식과 경험이 풍부한 처리 능력을 제공합니다. 우리는 우리를 맞춤화할 수 있습니다견고한 SiC 포커스 링고객의 기술 도면을 기반으로 미크론 수준의 치수 제어, 미세한 표면 처리, 엄격한 두께 균일성 제어, 철저한 표면 결함 관리 및 신뢰할 수 있는 내부 응력 조절을 달성하여 고객의 에칭 시스템과 완벽한 호환성을 보장합니다.