적합한 웨이퍼를 선택할 때 어떤 지표에 주의를 기울여야 합니까?

웨이퍼 선택은 반도체 장치의 개발 및 제조에 중요한 영향을 미칩니다.웨이퍼선택은 특정 애플리케이션 시나리오의 요구 사항에 따라 이루어져야 하며 다음과 같은 중요한 측정 기준을 사용하여 신중하게 평가해야 합니다.

1. 총 두께 변화:

웨이퍼 표면 전체에 걸쳐 측정된 최대 두께와 최소 두께의 차이를 TTV라고 합니다.  이는 두께 균일성을 측정하는 중요한 지표로, 값이 작을수록 성능이 높다는 것을 의미합니다.

2. 활과 날실:

웨이퍼 결함은 기계적 가공으로 인해 발생하는 불완전하거나 불규칙한 격자 구조를 말하며, 이는 마이크로파이프, 전위, 스크래치 등을 포함하는 결정 손상층을 형성합니다. 이는 웨이퍼의 기계적, 전기적 특성을 손상시키고 결국 칩 고장으로 이어질 수 있습니다.

3.입자:

웨이퍼 표면의 파티클 오염은 소자 제조 및 성능에 영향을 미칠 수 있으므로 생산과정에서 파티클 발생을 최소화하고, 표면 파티클 오염을 줄이고 제거하기 위한 특수 세정 공정이 필요합니다.

5.결함:

웨이퍼 표면의 파티클 오염은 소자 제조 및 성능에 영향을 미칠 수 있으므로 생산과정에서 파티클 발생을 최소화하고, 표면 파티클 오염을 줄이고 제거하기 위한 특수 세정 공정이 필요합니다.

5.결함:

웨이퍼 결함은 기계적 가공으로 인해 발생하는 불완전하거나 불규칙한 격자 구조를 말하며, 이는 마이크로파이프, 전위, 스크래치 등을 포함하는 결정 손상층을 형성합니다. 이는 웨이퍼의 기계적, 전기적 특성을 손상시키고 결국 칩 고장으로 이어질 수 있습니다.

6. 전도성 유형/도펀트:

웨이퍼는 도핑 성분에 따라 n형과 p형 두 가지로 나뉜다. n형 웨이퍼는 일반적으로 전도성을 달성하기 위해 V족 원소로 도핑됩니다. 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb)은 일반적인 도핑 원소입니다. P형 웨이퍼는 주로 3족 원소, 일반적으로 붕소(B)로 도핑됩니다. 도핑되지 않은 실리콘을 진성 실리콘이라고 합니다. 내부 원자는 공유 결합으로 결합되어 고체 구조를 형성하여 전기적으로 안정적인 절연체를 만듭니다. 그러나 실제 생산 과정에서 불순물이 전혀 없는 고유의 실리콘 웨이퍼는 없습니다.

7.저항률:

웨이퍼 저항률을 제어하는 ​​것은 반도체 장치의 성능에 직접적인 영향을 미치기 때문에 필수적입니다. 웨이퍼의 저항률을 수정하기 위해 제조업체는 일반적으로 웨이퍼를 도핑합니다. 도펀트 농도가 높을수록 저항률이 낮아지고, 도펀트 농도가 낮을수록 저항률이 높아집니다.

결론적으로, 웨이퍼를 선택하기 전에 후속 공정 조건과 장비 제한 사항을 명확히 한 후, 위의 지표를 기반으로 선택하는 것이 반도체 소자 개발주기 단축과 제조 비용 최적화라는 이중 목표를 보장하는 것이 좋습니다.