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중국 SiC 웨이퍼 제조업체, 공급업체, 공장

반도체 재료의 얇은 조각을 웨이퍼라고 하며 매우 순수한 단결정 재료로 구성됩니다. Czochralski 공정에서는 고순도 단결정 반도체의 원통형 잉곳이 용해물에서 종자 결정을 끌어당겨 만들어집니다.


실리콘 카바이드(SiC)와 그 폴리타입은 오랫동안 인류 문명의 일부였습니다. 이 단단하고 안정적인 화합물의 기술적 관심은 1885년과 1892년에 Cowless와 Acheson에 의해 연삭 및 절단 목적으로 실현되어 대규모 제조로 이어졌습니다.


탄화규소(SiC)는 우수한 물리적 및 화학적 특성으로 인해 고온, 고전력 및 고주파 및 광전자 장치, 핵융합 반응기의 구조 구성 요소, 가스 냉각용 클래딩 재료를 포함한 다양한 응용 분야에서 탁월한 후보입니다. 핵분열 원자로, Pu 변환을 위한 불활성 매트릭스. 3C, 6H 및 4H와 같은 다양한 폴리 유형의 SiC가 널리 사용되었습니다. 이온 주입은 p형 및 n형 SiC 웨이퍼를 제조하기 위해 Si 기반 장치 생산을 위해 도펀트를 선택적으로 도입하는 중요한 기술입니다.


주괴그런 다음 실리콘 카바이드 SiC 웨이퍼를 형성하기 위해 슬라이스됩니다.


실리콘 카바이드 재료 특성

폴리타입

단결정 4H

결정 구조

육각형

밴드갭

3.23eV

열전도율(n형, 0.020ohm-cm)

a~4.2W/cm ⢠K @ 298K

c~3.7W/cm ⢠K @ 298K

열전도율(HPSI)

a~4.9 W/cm ⢠K @ 298 K

c~3.9 W/cm ⢠K @ 298 K

격자 매개변수

a=3.076Å

c=10.053Å

모스 경도

~9.2

밀도

3.21g/㎤3

영국 열량 단위. 팽창 계수

4-5 x 10-6/케이


다양한 유형의 SiC 웨이퍼

세 가지 유형이 있습니다.n형 sic 웨이퍼, p형 sic 웨이퍼그리고고순도 반절연 웨이퍼. 도핑은 실리콘 결정에 불순물을 도입하는 이온 주입을 말합니다. 이러한 도펀트는 결정의 원자가 이온 결합을 형성하도록 허용하여 한 번 본질적인 결정을 외부로 만듭니다. 이 공정은 두 가지 유형의 불순물을 도입합니다. N형과 P형. 그것이 되는 '유형'은 화학 반응을 일으키는 데 사용되는 재료에 따라 다릅니다. N형과 P형 SiC 웨이퍼의 차이점은 도핑 중에 화학 반응을 일으키는 데 사용되는 기본 재료입니다. 사용된 재료에 따라 외부 오비탈에는 5개 또는 3개의 전자가 있어 하나는 음전하(N형)이고 다른 하나는 양전하(P형)입니다.


N형 SiC 웨이퍼는 주로 신에너지 자동차, 고압 송변전소, 백색 가전, 고속철도, 모터, 태양광 인버터, 펄스 전원 공급 장치 등에 사용됩니다. 장비 신뢰성, 장비 크기 감소 및 장비 성능 향상 및 전력 전자 장치 제작에 대체 불가능한 이점이 있습니다.


고순도 반 절연 SiC 웨이퍼는 주로 고전력 RF 장치의 기판으로 사용됩니다.


에피택시 - III-V 질화물 증착

SiC 기판 또는 사파이어 기판 위의 SiC, GaN, AlxGa1-xN 및 InyGa1-yN 에피택셜 층.






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3C-SiC 웨이퍼 기판

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8인치 N형 SiC 웨이퍼

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P형 SiC 기판 웨이퍼

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6인치 N형 SiC 웨이퍼

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