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화학 기상 증착(CVD) 공정에 사용되는 CVD 로. 화학 기상 증착은 기화된 전구체 가스와 가열된 표면 사이의 화학 반응을 사용하여 기판에 박막을 증착하는 프로세스입니다.



CVD로는 일반적으로 진공 챔버, 가스 전달 시스템, 가열 시스템 및 기판 홀더로 구성됩니다. 진공 챔버는 불순물이 증착 공정을 방해하지 않도록 증착 환경에서 공기 및 기타 가스를 제거하는 데 사용됩니다. 가스 전달 시스템은 원하는 박막을 형성하기 위해 반응하는 기판 표면에 전구체 가스를 전달합니다. 가열 시스템은 반응이 일어나기 위해 필요한 온도로 기판을 가열합니다. 기판 홀더는 증착 공정 중에 기판을 제자리에 고정하는 데 사용됩니다.


CVD 공정에서 전구체 가스는 진공 챔버로 도입되고 가열된 기판에 박막을 형성하기 위해 분해 및 반응하는 온도로 가열됩니다. 증착 환경의 온도와 압력은 원하는 필름 특성이 달성되도록 세심하게 제어됩니다.


CVD 용광로는 반도체 산업에서 집적 회로 및 태양 전지와 같은 마이크로 전자 장치 제조용 박막을 증착하는 데 널리 사용됩니다. 또한 코팅, 광섬유 및 초전도체와 같은 고급 재료 생산에도 사용됩니다.

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CVD 화학 기상 증착로

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