반도체 웨이퍼란?
반도체 웨이퍼는 집적 회로(IC) 및 기타 전자 장치 제조의 기초 역할을 하는 얇고 둥근 반도체 재료입니다. 웨이퍼는 다양한 전자 부품이 만들어지는 평평하고 균일한 표면을 제공합니다.
웨이퍼 제조 공정은 원하는 반도체 재료의 큰 단결정을 성장시키고 다이아몬드 톱을 사용하여 결정을 얇은 웨이퍼로 자른 다음 표면 결함이나 불순물을 제거하기 위해 웨이퍼를 연마 및 세척하는 등 여러 단계를 포함합니다. 결과 웨이퍼는 매우 평평하고 매끄러운 표면을 가지므로 후속 제조 공정에 매우 중요합니다.
웨이퍼가 준비되면 포토리소그래피, 식각, 증착, 도핑과 같은 일련의 반도체 제조 공정을 거쳐 전자 부품을 만드는 데 필요한 복잡한 패턴과 층을 만듭니다. 이러한 프로세스는 단일 웨이퍼에서 여러 번 반복되어 여러 집적 회로 또는 기타 장치를 만듭니다.
제조 공정이 완료된 후 미리 정의된 라인을 따라 웨이퍼를 다이싱하여 개별 칩을 분리합니다. 그런 다음 분리된 칩을 패키징하여 보호하고 전자 장치에 통합하기 위한 전기적 연결을 제공합니다.
웨이퍼의 다양한 재료
반도체 웨이퍼는 풍부하고 우수한 전기적 특성 및 표준 반도체 제조 공정과의 호환성으로 인해 주로 단결정 실리콘으로 만들어집니다. 그러나 특정 응용 프로그램 및 요구 사항에 따라 다른 재료를 사용하여 웨이퍼를 만들 수도 있습니다. 여기 몇 가지 예가 있어요.
실리콘 카바이드(SiC): SiC는 우수한 열전도성과 고온 성능으로 알려진 와이드 밴드갭 반도체 소재입니다. SiC 웨이퍼는 전력 변환기, 인버터 및 전기 자동차 부품과 같은 고전력 전자 장치에 사용됩니다.
질화 갈륨(GaN): GaN은 탁월한 전력 처리 기능을 갖춘 광대역 갭 반도체 소재입니다. GaN 웨이퍼는 전력 전자 장치, 고주파 증폭기 및 LED(발광 다이오드) 생산에 사용됩니다.
갈륨 비소(GaAs): GaAs는 특히 고주파수 및 고속 애플리케이션에서 웨이퍼에 사용되는 또 다른 일반적인 재료입니다. GaAs 웨이퍼는 RF(무선 주파수) 및 마이크로웨이브 장치와 같은 특정 전자 장치에 더 나은 성능을 제공합니다.
InP(Indium Phosphide): InP는 전자 이동도가 뛰어난 물질로 레이저, 광검출기, 고속 트랜지스터 등의 광전자소자에 많이 사용된다. InP 웨이퍼는 광섬유 통신, 위성 통신 및 고속 데이터 전송 분야에 적합합니다.
Semicorex 2" 산화 갈륨 기판은 대량 생산 및 상업화 속도가 가속화되는 4세대 반도체 이야기의 새로운 장을 의미합니다. 이러한 기판은 다양한 첨단 기술 응용 분야에서 탁월한 이점을 제공합니다. 산화 갈륨 기판은 다음과 같은 중요한 발전을 상징할 뿐만 아니라 Semicorex는 품질과 비용 효율성을 융합한 고성능 2인치 산화갈륨 기판을 제조 및 공급하는 데 전념하고 있습니다.**
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더 읽어보기문의 보내기Semicorex 10x10mm 비극성 M면 알루미늄 기판의 고유한 특성으로 인해 자외선(UV) LED, UV 감지기, UV 레이저 및 차세대 5G 고출력/고주파 RF 장치에 이상적인 기판이 됩니다. 무선 통신에서 10x10mm 비극성 M면 알루미늄 기판의 특성은 5G 기술에 필수적인 고전력 및 주파수를 처리할 수 있는 장치 개발을 촉진하여 신호 전송 및 수신을 향상시킵니다. 또한 의료 및 군사 분야에서 AlN 기반 장치는 피부 질환 치료를 위한 의료용 광선요법, 광역학 요법을 통한 약물 발견, 항공우주 분야의 통신 기술 확보에 사용되어 10x10mm 비극성 M-평면 알루미늄 기판의 다용성과 기술 분야의 중요한 역할을 강조합니다. 다양한 분야에 걸쳐 발전하고 있습니다.
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