PVT 방법을 통한 고품질 SiC 결정 성장을 위한 다공성 흑연

탄화규소(SiC)는 반도체 기술 분야의 핵심 소재로 부상했으며, 다양한 전자 및 광전자 응용 분야에 매우 바람직한 탁월한 특성을 제공합니다. 고품질 SiC 단결정의 생산은 전력 전자 장치, LED 및 고주파 장치와 같은 장치의 성능을 향상시키는 데 중요합니다. 이 기사에서는 4H-SiC 단결정 성장을 위한 PVT(물리적 증기 수송) 방법에서 다공성 흑연의 중요성을 조사합니다.

PVT 방법은 SiC 단결정 생산에 널리 사용되는 기술입니다. 이 공정에는 고온 환경에서 SiC 원료 물질을 승화시킨 후 종자 결정에 응축시켜 단결정 구조를 형성하는 과정이 포함됩니다. 이 방법의 성공 여부는 온도, 압력, 사용된 재료 등 성장 챔버 내의 조건에 크게 좌우됩니다.

독특한 구조와 특성을 지닌 다공성 흑연은 SiC 결정 성장 공정을 향상시키는 데 중추적인 역할을 합니다. 전통적인 PVT 방법으로 성장한 SiC 결정은 다양한 결정 형태를 갖게 됩니다. 그러나 로에 다공성 흑연 도가니를 사용하면 4H-SiC 단결정의 순도를 크게 높일 수 있습니다.

4H-SiC 단결정 성장을 위한 PVT 방법에 다공성 흑연을 통합하는 것은 반도체 기술 분야에서 상당한 발전을 의미합니다. 다공성 흑연의 고유한 특성은 향상된 가스 흐름, 온도 균질성, 응력 감소 및 향상된 열 발산에 기여합니다. 이러한 요소들은 종합적으로 결함이 적은 고품질 SiC 단결정을 생산하여 보다 효율적이고 신뢰할 수 있는 전자 및 광전자 장치 개발의 길을 열어줍니다. 반도체 산업이 계속 발전함에 따라 SiC 결정 성장 공정에서 다공성 흑연의 활용은 전자 재료 및 장치의 미래를 형성하는 데 중추적인 역할을 할 준비가 되어 있습니다.