SiC 보트 vs. 석영 보트: 반도체 제조의 현재 사용 및 미래 동향

1. 대체 역학:SiC 보트 도전적인 석영 보트

둘 다SiC 및 석영 보트반도체 제조에서도 유사한 기능을 수행합니다. 하지만,SiC 보트, 높은 비용에도 불구하고 우수한 성능을 제공하므로 점점 더 매력적인 대안이 되고 있습니다.석영 보트특히 저압 화학 기상 증착(LPCVD) 및 붕소 확산로와 같은 까다로운 태양전지 처리 장비에 사용됩니다. 덜 까다로운 공정에서는 두 재료가 공존하며 가격은 제조업체의 주요 결정 요소입니다.

(1) LPCVD 및 붕소 확산로 대체

LPCVD는 터널링 산화물 층을 생성하고 태양전지에 폴리실리콘 층을 증착하는 데 중요합니다. 이 공정에는 보트 표면에 실리콘이 증착되기 쉬운 고온이 포함됩니다.석영실리콘에 비해 열팽창 계수가 상당히 다르기 때문에 이러한 침전물을 제거하고 균열을 방지하려면 정기적인 산 세척이 필요합니다. 이러한 잦은 청소와 더불어석영고온 강도가 낮아 수명이 단축되고 운영 비용이 증가합니다.

SiC 보트반면에 실리콘에 가까운 열팽창 계수를 가지므로 산 세척이 필요하지 않습니다. 뛰어난 고온 강도로 인해 수명이 더욱 길어지며,석영LPCVD 공정에서

붕소 확산로는 N형 실리콘 웨이퍼에 붕소를 도핑하여 P형 이미터를 생성하는 데 사용됩니다. 이 과정과 관련된 높은 온도는 또한 다음과 같은 문제를 야기합니다.석영 보트고온 강도가 낮기 때문입니다. 다시,SiC 보트이러한 까다로운 조건에서 훨씬 더 높은 내구성을 제공하는 적합한 대체품으로 등장합니다.

(2) 기타 가공설비로의 대체

하는 동안SiC가 자랑하는우수한 성능, 비해 높은 비용석영두 재료 간의 수명 차이가 덜 중요한 덜 까다로운 응용 분야에서는 채택이 제한됩니다. 제조업체는 제품을 선택할 때 가격 대비 성능의 균형을 고려하는 경우가 많습니다. 그러나 생산비용만큼SiC 보트감소하고 시장 가용성이 향상되면 경쟁이 더욱 치열해질 것으로 예상되며 잠재적으로 가격 조정을 촉발하여 지배력에 더욱 도전할 수 있습니다.석영 보트.

2. 현재 이용률:SiC 보트기반 확보

PERC(Passivated Emitter and Rear Cell) 기술과 관련하여 보트는 주로 전면 인 확산 및 어닐링 중에 사용됩니다. 반면, TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact) 기술은 전면 붕소 확산, LPCVD, 후면 인 확산 및 어닐링에 보트가 필요합니다.

현재,SiC 보트TOPCon 생산의 LPCVD 단계에서 주로 활용됩니다. 붕소 확산에 대한 응용이 주목을 받고 초기 검증 테스트를 통과했지만 태양전지 처리 산업 내에서의 전반적인 채택률은 상대적으로 낮습니다.

3. 미래 동향: 성장을 위한 SiC

여러 가지 요소가 유망한 미래를 가리키고 있습니다.SiC 보트, 시장 점유율이 크게 증가할 것으로 예상됩니다. 이러한 요소에는 다음이 포함됩니다.

우수한 성능: 특히 LPCVD 및 붕소 확산과 같은 고온 응용 분야에서 SiC의 고유한 재료 특성은 석영에 비해 분명한 이점을 제공하여 수명이 길어지고 운영 비용이 절감됩니다.

비용 절감을 위한 업계의 노력: 태양광 발전 산업은 비용 절감과 효율성 향상을 위해 끊임없이 노력하고 있습니다. 이러한 목표를 달성하기 위한 수단으로 더 큰 웨이퍼 크기가 점점 대중화되고 있습니다. 이러한 맥락에서 SiC 보트의 우수한 성능과 내구성은 더욱 가치가 높아집니다.

수요 증가: 태양 에너지 부문이 지속적으로 확장됨에 따라 다음과 같은 고성능의 안정적인 구성 요소에 대한 수요가 증가하고 있습니다.SiC 보트필연적으로 상승하게 됩니다.

증가하는 수요를 충족하기 위해 생산 규모를 확장하고 일관된 품질을 보장하는 등의 과제가 남아 있지만,SiC 보트반도체 업계의 실적은 밝아 보인다. 뛰어난 성능과 비용 효율적인 솔루션에 대한 업계의 추진력이 결합되어 차세대 태양전지 제조의 핵심 원동력으로 자리매김하고 있습니다.