인피니언, 세계 최초의 300mm 전력 GaN 웨이퍼 공개

최근 인피니언 테크놀로지스는 세계 최초의 300mm 전력 질화갈륨(GaN) 웨이퍼 기술 개발에 성공했다고 발표했습니다. 이로써 이 획기적인 기술을 습득하고 기존 대규모, 고용량 제조 환경에서 대량 생산을 달성한 최초의 회사가 되었습니다. 이러한 혁신은 GaN 기반 전력 반도체 시장에서 중요한 발전을 의미합니다.

300mm 기술은 200mm 기술과 어떻게 비교됩니까?

200mm 기술에 비해 300mm 웨이퍼를 사용하면 웨이퍼당 GaN 칩을 2.3배 더 많이 생산할 수 있어 생산 효율성과 출력이 크게 향상됩니다. 이 획기적인 발전은 전력 시스템 분야에서 Infineon의 리더십을 강화할 뿐만 아니라 GaN 기술의 빠른 개발을 가속화합니다.

Infineon의 CEO는 이번 성과에 대해 뭐라고 말했나요?

인피니언 테크놀로지스의 요헨 하네벡(Jochen Hanebeck) 최고경영자(CEO)는 “이 놀라운 성과는 인피니언의 강력한 혁신 역량을 보여주는 동시에 글로벌 팀의 끊임없는 노력을 입증하는 것”이라고 말했다. 우리는 이 기술적 혁신이 업계 표준을 재편하고 GaN 기술의 잠재력을 최대한 발휘할 것이라고 굳게 믿습니다. GaN Systems를 인수한 지 약 1년 만에 빠르게 성장하는 GaN 시장을 선도하겠다는 의지를 다시 한 번 보여줍니다. 전력 시스템 분야의 선두주자로서 인피니언은 실리콘, 실리콘 카바이드, GaN이라는 세 가지 핵심 소재에서 경쟁 우위를 확보했습니다.”

Infineon CEO Jochen Hanebeck은 기존의 확장 가능한 대량 제조 환경에서 생산된 세계 최초의 300mm GaN Power 웨이퍼 중 하나를 보유하고 있습니다.

300mm GaN 기술이 유리한 이유는 무엇입니까?

300mm GaN 기술의 중요한 장점 중 하나는 GaN과 실리콘이 제조 공정에서 유사성을 공유하기 때문에 기존 300mm 실리콘 제조 장비를 사용하여 생산할 수 있다는 것입니다. 이 기능을 통해 Infineon은 GaN 기술을 현재 생산 시스템에 원활하게 통합하여 기술 채택 및 적용을 가속화할 수 있습니다.

Infineon은 어디에서 300mm GaN 웨이퍼를 성공적으로 생산했습니까?

현재 인피니언은 오스트리아 필라흐 발전소의 기존 300mm 실리콘 생산 라인에서 300mm GaN 웨이퍼를 성공적으로 제조했습니다. 200mm GaN 기술과 300mm 실리콘 생산 기반을 바탕으로 회사는 기술 및 생산 능력을 더욱 확장했습니다.

이 획기적인 발전은 미래에 무엇을 의미합니까?

이러한 획기적인 발전은 Infineon의 혁신과 대규모 생산 능력의 강점을 강조할 뿐만 아니라 전력 반도체 산업의 향후 발전을 위한 견고한 기반을 마련합니다. GaN 기술이 계속 발전함에 따라 Infineon은 계속해서 시장 성장을 주도하여 글로벌 반도체 산업에서 리더십 위치를 더욱 강화할 것입니다.**