4" 갈륨 산화물 기판

Semicorex 4" 갈륨 산화물 기판은 탁월한 화학적 및 열 안정성을 나타내어 극한 조건에서도 성능이 일관되고 안정적으로 유지되도록 보장합니다. 이러한 견고성은 고온 및 반응 환경과 관련된 응용 분야에서 매우 중요합니다. 또한 4" 갈륨 산화물 기판은 뛰어난 광학 투명성을 유지합니다. 자외선에서 적외선까지 넓은 파장 범위에 걸쳐 발광 다이오드 및 레이저 다이오드를 포함한 광전자공학 응용 분야에 매력적입니다.

밴드갭 범위가 4.7~4.9eV인 4인치 산화갈륨 기판은 임계 전계 강도에서 탄화규소(SiC) 및 질화갈륨(GaN)을 크게 능가하며 SiC의 2.5MV/cm 및 최대 8MV/cm에 도달합니다. GaN의 3.3MV/cm. 이 특성은 250cm²/Vs의 전자 이동도 및 향상된 전기 전도 투명성과 결합되어 4인치 산화갈륨 기판에 전력 전자 분야의 상당한 이점을 제공합니다. Baliga의 성능 지수는 GaN 및 SiC의 성능 지수의 몇 배인 3000을 초과하여 전력 애플리케이션에서 뛰어난 효율성을 나타냅니다.

Semicorex 4" 산화갈륨 기판은 통신, 레이더, 항공우주, 고속철도 및 신에너지 차량에 사용하는 데 특히 유리합니다. 특히 고전력, 고온, 고온, 고출력 분야의 방사선 검출 센서에 적합합니다. Ga2O3가 SiC 및 GaN에 비해 상당한 이점을 보이는 고주파 장치.