융합 석영 도가니

Semicorex 융합 석영 도가치는 극한 온도 환경에서 상당한 순도, 열 안정성 및 기계적 강도를 가진 반도체 제조에 사용되는 귀중한 소모품입니다. 이 도가니는 고도로 제어 된 용융 기술을 사용하여 함께 융합되는 고순도 실리카 모래에서 제조되어 가장 높은 밀도를 달성하기 위해 고도로 가용 밀도를 달성하며, 수정 풀백 및 웨이퍼 생산에 매우 재현 할 수있는 구조에 제한된 포함 또는 기포가있는 대부분의 균질 물질을 사용합니다. 이 도가니는 매우 낮은 수준의 오염이있어 재료 순도가 장치의 수율과 성능에 직접적인 영향을 미치는 공정에 이상적입니다.

융합 석영 도가니는 단결정 실리콘 성장의 Czochralski (CZ) 방법에 대한 반도체 생산에 사용됩니다. 융합 된 석영 도가니는 열 저항성이 높기 때문에 온도를 견딜 수있어 종종 1400 ° C보다 높은 폴리 실리콘을 녹일 수 있습니다.  또한 융합 된 석영 도가니는 화학적으로 불활성이며 실리콘의 순도에 영향을 미치는 방식으로 폴리 실리콘과 반응하지 않을 것입니다.  융합 석영 도가니는 구조적 무결성의 상실없이 매우 실질적인 열 사이클링을 겪을 수 있으며, 이는 종자의 결정 구조로의 성장에 대한 정상 상태 조건을 제공하여 반도체 웨이퍼에서 필요한 균일 성을 달성 할 수 있습니다.

그만큼융합 석영의 광학적 특성 및 기계적 특성은 반도체 설정에서 독특한 장점을 산출합니다. 열 팽창 계수는 열 충격 및 치수 불일치를 완화하는 반면, 낮은 열전도는 결정에 비해 결정 성장 용광로의 온도 구배를 보존하는 데 도움이됩니다. 도가니의 내부 표면은 열이 부드러워지는 열이 매끄럽게 될 것이며 미립자 생성을 최소화하고 균일 한 용융 거동을 촉진하여 자란 결정의 순도를 더욱 보호 할 것입니다.

각 융합 석영 도가니 부여를 보장하기 위해 사용 된 제조 공정은 엄격한 치수 공차 및 표면 특성으로 구성됩니다. 원료의 선택은 금속 오염 물질을 제거하기 위해 스크리닝되며, 용융은 대기 가스 및/또는 미립자 오염을 무효화하는 특수 환경에서 발생합니다. 반도체 적용에 기초하여, 도가치는 소규모 연구 도가니에서 300mm 웨이퍼를 생산할 수있는 큰 직경의 도가니에 이르기까지 여러 직경 및 벽 두께로 만들 수 있습니다.

융합 석영 Crucible의 독특한 특성은 이미 내구성과 성능을 향상 시키지만 필요할 때 추가 특수한 표면 처리 또는 코팅을 사용할 수 있습니다. 예를 들어, 일부 프로세스에는 도가니의 수명을 개선하거나 용융 실리콘으로가는 산소의 양을 더 최소화하기 위해 내부 실리콘 층 퇴적물이 포함됩니다. 이러한 개선은 프로세스가 석영 도가니를 사용하는 경우 반도체 생산의 효율에 도움이됩니다. 교체 빈도를 줄이고 결정의 수율이 높아지기 때문입니다.

융합 쿼츠 도가니도는 반도체 산업에서 새로운 프로세스의 연구 및 개발에 역할을합니다. 그것의 적응성은 엔지니어들에게 갈륨 아르 세나이드 또는 실리콘 카바이드와 같은 실리콘 외부의 새로운 반도체 재료를 대체 크리스탈 성장 기술, 재료 도핑 기술 또는 새로운 반도체 재료를 탐색 할 수있는 능력을 제공합니다. 융합 된 석영 Crucible의 극심한 화학 및 열 조건을 견딜 수있는 능력은 엔지니어들에게 대량 생산 및 실험 제조 모두에서 궁극적 인 보증을 제공합니다.

반음 융합석영도가치는 오늘날의 반도체 제조업에서 중요한 도구가되었으며, 가장 엄격한 산업 표준과 관련하여 고순도, 우수한 열 특성 및 놀라운 구조적 안정성을 특징으로합니다. 따라서, 결함이없고 고성능 반도체 웨이퍼를 생성하는 능력은 전 세계 전자 장치의 신뢰성과 성능에 직접적인 영향을 미칩니다.