고급 재료가 반도체 용광로 설계에서 3 가지 중요한 과제를 해결하는 방법

트랜지스터 크기를 축소하고 태양 전지 효율을 축소하기위한 경주는 열 처리 장비를 한계로 밀고 있습니다. Semicorex에서 우리는 20 년 동안 주요 반도체 및 PV 제조업체와 협력하여 반복되는 통증 지점을 해결하기 위해 다음과 같습니다. 극한의 조건에서 표준 재료가 실패하면 전체 생산 배치가 손상 될 수 있습니다.

CVD 코팅 : 프로세스 구성 요소를위한 갑옷

실리콘 카바이드 (SIC) 및 탄탈 룸 카바이드 (TAC)와 같은 화학 기상 증착 (CVD) 코팅은 가혹한 환경에서 성분 수명에 혁명을 일으키고 있습니다.

SIC 코팅장점 :

불활성 대기에서 최대 1,650 ° C의 온도를 견딜 수 있습니다

에피 택셜 성장 반응기에서 입자 오염을 감소시킨다

흑연 감수자의 서비스 수명을 3-5x로 연장합니다

TAC 코팅확산 장벽 :

도가니에서 용융 실리콘 침윤을 방지합니다 (99.999% 순도 보유)

빠른 열 가공 (RTP) 중 웨이퍼 warpage를 최소화합니다.

온도가 1600 ° C를 초과하는 경우 : CVD 코팅 장점

이것은 마술이 아닙니다 - 그것은 재료 과학입니다. 당사의 독점적 인 CVD 공정은 원자 수준 정밀도로 SIC 및 TAC 코팅을 모두 퇴적하여 다음과 같은 표면을 만듭니다.

표준 코팅보다 3 배 더 긴 실리콘 증기 부식에 저항합니다

복잡한 형상에서 <0.5µm 두께 변화를 유지하십시오

열 사이클링에서도 코팅 박리를 제거하십시오

열 균일 성의 조용한 위기

결정 성장 용광로에서, 일관성이없는 온도 분포는 250k 달러의 실리콘 잉곳을 스크랩으로 바꿀 수 있습니다. 다음과 같은 재료 혁신을 통해

밀도 등급 흑연 펠트 (0.18-0.25g/cm³ Gradient Design)

2% 열 팽창 이방성을 갖는 탄소-탄소 복합 절연체

... 우리는 고객이 달성하는 데 도움을주었습니다.

300mm Czochralski 시스템에서 축 방향 온도 균일 성

ingot 크래킹없이 40% 더 빠른 냉각 속도

왜 석영 순도가 그 어느 때보 다 중요합니다

Tier-1 MEMS Foundry가 에칭 챔버 라이너에 입자 결함을 추적했을 때, 우리의 거품이없는 융합 석영 솔루션 :

금속 오염 감소 89% (ICP-MS 분석)

3 개월에서 8 개월 사이의 확장 예방 유지 보수 간격

<0.1ppb 알칼리 금속 함량으로 99.999% 초기 순도를 달성했습니다

사양 이상 : 응용 프로그램 엔지니어링 문제

기술 사양은 기준 비교를 제공하지만 실제 성능은 다음에 따라 다릅니다.

• 재료 프로세스 커플 링 - 구성 요소가 특정 화학 물질과 상호 작용하는 방법 (예 : CL₂ vs. SF₆ Plasmas)

• 실패 모드 라이브러리 - 1,200 개 이상의 구성 요소 실패 사례 데이터베이스에 자료 선택에 알려줍니다.

• 맞춤형 등급 - 부품 단면에서 흑연 기공/전도도 조정

Semicorex는 고품질을 제공합니다탄탈 룸 탄화물 코팅그리고실리콘 카바이드 코팅맞춤형 부품. 문의 사항이 있거나 추가 세부 정보가 필요한 경우 주저하지 마십시오.

전화 # +86-13567891907로 문의하십시오

이메일 : sales@semicorex.com