전자 등급 실리콘 카바이드 분말

3 세대 반도체의 핵심 자료로실리콘 카바이드 (sic)새로운 에너지 차량, 태양 광 에너지 저장 및 우수한 물리적 특성으로 인해 5G 통신과 같은 첨단 기술 분야에서 점점 더 중요한 역할을하고 있습니다. 현재, 전자 등급 실리콘 카바이드 분말의 합성은 주로 개선 된 자체 추적 고온 합성 방법 (연소 합성 방법)에 의존한다. 이 방법은 외부 열원 (예 : 유도 코일 가열)과 결합 된 Si 분말 및 C 분말의 연소 반응을 통해 실리콘 카바이드의 효율적인 합성을 달성합니다.

품질에 영향을 미치는 주요 프로세스 매개 변수sic 파우더

1. C/SI 비율의 영향 :

  SiC 분말 합성의 효율은 실리콘 대 탄소 (SI/C) 비율과 밀접한 관련이있다. 일반적으로 1 : 1의 C/SI 비율은 불완전한 연소를 방지하여 전환율이 높아집니다. 이 비율로부터 약간의 편차가 초기에 연소 반응의 전환율을 증가시킬 수 있지만, 1.1 : 1의 C/SI 비율을 초과하면 문제가 발생할 수 있습니다. 과량의 탄소는 SIC 입자 내에 갇히게 될 수있어 재료의 순도를 제거하고 영향을 미치기가 어렵습니다.

2. 반응 온도의 영향 :

  반응 온도는 SIC 분말의 위상 조성 및 순도에 크게 영향을 미칩니다.

  -온도 ≤ 1800 ° C에서 주로 3C-SIC (β-SIC)가 생성됩니다.

  -약 1800 ° C, β-SIC는 점차 α-SIC로 변형되기 시작합니다.

  - 2000 ° C 이상의 온도에서, 재료는 거의 α-SIC로 완전히 변환되어 안정성을 향상시킵니다.

3. 반응 압력의 효과

반응 압력은 SIC 분말의 입자 크기 분포 및 형태에 영향을 미칩니다. 더 높은 반응 압력은 입자 크기를 제어하고 분말의 분산 및 균일 성을 향상시키는 데 도움이됩니다.

4. 반응 시간의 효과

반응 시간은 SIC 분말의 위상 구조 및 입자 크기에 영향을 미칩니다. 고온 조건 (예 : 2000 ℃)에서 SIC의 위상 구조는 점차 3C-SIC에서 6H-SIC에서 6H-SIC로 변할 것이다; 반응 시간이 추가로 확장 될 때, 15R-SIC가 생성 될 수있다; 또한, 장기 고온 처리는 입자의 승화 및 재성장을 강화하여 작은 입자가 점차적으로 집계하여 큰 입자를 형성하게한다.

SIC 분말을위한 준비 방법

준비실리콘 카바이드 (SIC) 분말연소 합성 방법 외에 고체, 액체 상 및 기상의 세 가지 주요 방법으로 분류 될 수 있습니다.

1. 고형 상 방법 : 탄소 열 감소

  - 원료 : 실리콘 공급원으로서의 이산화 실리콘 (Sio₂) 및 탄소 공급원으로서 탄소 검은 색.

  - 공정 : 두 재료는 정확한 비율로 혼합되어 고온으로 가열되어 SIC 분말을 생산하기 위해 반응합니다.

  -장점 :이 방법은 잘 확립되어 있으며 대규모 생산에 적합합니다.

  - 단점 : 결과 분말의 순도를 제어하는 ​​것은 어려울 수 있습니다.

2. 액체 상 방법 : 겔-고체 방법

  - 원리 :이 방법에는 알코올 염 또는 무기 소금을 용해시켜 균일 한 용액을 만듭니다. 가수 분해 및 중합 반응을 통해, 졸을 형성하고,이어서, SIC 분말을 얻기 위해 건조되고 열 처리된다.

  - 장점 :이 공정은 균일 한 입자 크기의 초저 SIC 분말을 산출합니다.

  - 단점 : 더 복잡하고 생산 비용이 높아집니다.

3. 가스 상 방법 : 화학 기상 증착 (CVD)

  - 원료 : Silane (Sih₄) 및 탄소 테트라 클로라이드 (CCL)와 같은 기체 전구체.

  - 공정 : 전구체 가스는 폐쇄 챔버에서 확산되고 화학 반응을 겪어 SIC의 증착 및 형성을 초래한다.

  - 장점 :이 방법을 통해 생성 된 SIC 분말은 순도가 높으며 고급 반도체 응용 분야에 적합합니다.

  - 단점 : 장비는 비싸고 생산 공정은 복잡합니다.

이 방법은 다양한 장점과 단점을 제공하여 다양한 응용 프로그램 및 생산 규모에 적합합니다.

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