건식 에칭의 핵심 매개변수

건식 에칭은 미세 전자 기계 시스템 제조 공정의 주요 기술입니다. 건식 식각 공정의 성능은 반도체 소자의 구조 정밀도와 동작 성능에 직접적인 영향을 미칩니다. 에칭 공정을 정밀하게 제어하려면 다음 핵심 평가 매개변수에 세심한 주의를 기울여야 합니다.

1.에치 레테

에칭 속도는 단위 시간당 에칭되는 재료의 두께를 나타냅니다(단위: nm/min 또는 μm/min). 그 값은 에칭 효율에 직접적인 영향을 미치며, 에칭 속도가 낮으면 생산 주기가 길어집니다. 장비 매개변수, 재료 특성 및 에칭 영역이 모두 에칭 속도에 영향을 미친다는 점에 유의해야 합니다.

2.선택성

기판 선택성과 마스크 선택성은 건식 에칭 선택성의 두 가지 유형입니다. 이상적으로는 마스크 선택성이 높고 기판 선택성이 낮은 식각 가스를 선택해야 하지만, 실제로는 재료 특성을 고려하여 최적화해야 합니다.

3.균일성

웨이퍼 내 균일성은 동일한 웨이퍼 내의 여러 위치에서의 속도 일관성을 말하며, 이는 반도체 장치의 치수 편차를 초래합니다. 웨이퍼 간 균일성은 서로 다른 웨이퍼 간의 속도 일관성을 의미하며, 이로 인해 배치 간 정확도 변동이 발생할 수 있습니다.

4. 임계치수

임계 치수는 선폭, 트렌치 폭, 구멍 직경과 같은 미세구조의 기하학적 매개변수를 나타냅니다.

5.종횡비

종횡비는 이름에서 알 수 있듯이 에칭 깊이와 개구 폭의 비율입니다. 종횡비 구조는 MEMS의 3D 장치에 대한 핵심 요구 사항이며 하단 속도 저하를 방지하려면 가스 비율 및 전력 제어를 통해 최적화되어야 합니다.

6.에치 손상

과도한 에칭, 언더컷 및 측면 에칭과 같은 에칭 손상은 치수 정확성을 감소시킬 수 있습니다(예: 전극 간격 편차, 캔틸레버 빔의 좁아짐).

7. 로딩 효과

로딩 효과(loading effect)는 식각 패턴의 면적, 선폭 등의 변수에 따라 식각 속도가 비선형적으로 변하는 현상을 말한다. 즉, 에칭된 영역이나 선폭이 다르면 속도나 형태가 달라집니다.

세미코렉스는 전문적으로SiC 코팅그리고TaC 코팅반도체 제조 중 식각 공정에 적용되는 흑연 솔루션에 대해 문의 사항이 있거나 추가 세부 정보가 필요한 경우 언제든지 문의해 주시기 바랍니다.

전화번호: +86-13567891907

이메일: sales@semicorex.com