2024-03-15
소개하기 위해서는SiC 코팅 흑연 수신기, 해당 응용 프로그램을 이해하는 것이 중요합니다. 장치를 제조할 때 일부 웨이퍼 기판에는 추가 에피택셜 레이어를 구축해야 합니다. 예를 들어, LED 발광 장치는 실리콘 기판에 GaAs 에피택셜 층을 준비해야 합니다. SiC 기판에서 SiC 층 성장이 필요한 반면, 에피택셜 층은 SBD, MOSFET 등과 같은 고전압 및 고전류와 같은 전력 애플리케이션을 위한 장치를 구성하는 데 도움이 됩니다. 반대로 GaN 에피택셜 층은 반절연 SiC 위에 구성됩니다. 통신과 같은 무선 주파수 응용 분야를 위한 HEMT와 같은 장치를 추가로 구성하기 위한 기판입니다. 이를 위해서는CVD 장비(다른 기술적 방법 중에서)이 필요합니다. 본 장비는 III족 및 II족 원소와 V, VI족 원소를 성장원료로 기판 표면에 증착할 수 있는 장비입니다.
~ 안에CVD 장비즉, 기판을 금속 위에 직접 배치할 수도 없고 에피택셜 증착을 위해 단순히 베이스 위에 배치할 수도 없습니다. 가스 흐름 방향(수평, 수직), 온도, 압력, 고정, 오염 물질 배출 등이 모두 공정에 영향을 미칠 수 있는 요소이기 때문입니다. 따라서 디스크 위에 기판을 올려놓는 곳에 서셉터가 필요하며, 이후 CVD 기술을 이용해 기판에 에피택셜 증착을 진행한다. 이 서셉터는 SiC 코팅 흑연 서셉터(트레이라고도 함)입니다.
그만큼흑연 수신기의 중요한 구성 요소입니다.MOCVD 장비. 이는 기판의 캐리어 및 가열 요소 역할을 합니다. 열 안정성, 균일성 및 기타 성능 매개변수는 에피택셜 재료 성장의 품질을 결정하는 중요한 요소이며, 박막 재료의 균일성과 순도에 직접적인 영향을 미칩니다. 그러므로, 제품의 품질은흑연 수신기에피택셜 웨이퍼를 준비하는 데 매우 중요합니다. 그러나 서셉터의 소모품 특성과 작업 조건의 변화로 인해 쉽게 분실됩니다.
흑연은 우수한 열 전도성과 안정성을 갖고 있어 다음과 같은 이상적인 기본 구성 요소입니다.MOCVD 장비. 그러나 순수 흑연은 몇 가지 문제에 직면해 있습니다. 생산 과정에서 잔류 부식성 가스와 금속 유기 물질로 인해 서셉터가 부식되고 가루가 되어 수명이 크게 단축될 수 있습니다. 또한, 떨어지는 흑연 분말은 칩을 오염시킬 수 있습니다. 따라서 이러한 문제는 베이스를 준비하는 과정에서 해결되어야 한다.
코팅 기술은 분말을 표면에 고정시키고 열전도도를 높이며 열을 고르게 분산시키는 데 사용할 수 있는 공정입니다. 이 기술은 이 문제를 해결하는 주요 방법이 되었습니다. 흑연 베이스의 적용 환경 및 사용 요구 사항에 따라 표면 코팅은 다음과 같은 특성을 가져야 합니다.
1. 고밀도 및 전체 포장: 흑연 베이스는 고온, 부식성 작업 환경에 있으므로 표면을 완전히 덮어야 합니다. 코팅은 또한 우수한 보호 기능을 제공하기 위해 밀도가 좋아야 합니다.
2. 우수한 표면 평탄도: 단결정 성장에 사용되는 흑연 베이스는 높은 표면 평탄도를 요구하므로 코팅 준비 후에도 베이스 본래의 평탄도가 유지되어야 합니다. 이는 코팅 표면이 균일해야 함을 의미합니다.
3. 우수한 접착 강도 : 흑연 기재와 코팅재 사이의 열팽창 계수 차이를 줄이면 둘 사이의 접착 강도를 효과적으로 향상시킬 수 있습니다. 고온 및 저온 열 사이클을 경험한 후에는 코팅이 쉽게 깨지지 않습니다.
4. 높은 열 전도성: 고품질 칩 성장을 위해서는 흑연 베이스의 빠르고 균일한 열이 필요합니다. 따라서 코팅재는 열전도율이 높아야 합니다.
5. 높은 융점, 고온 내산화성 및 내식성: 코팅은 고온 및 부식성 작업 환경에서 안정적으로 작동할 수 있어야 합니다.
현재,실리콘 카바이드(SiC)고온 및 부식성 가스 환경에서 탁월한 성능을 발휘하므로 흑연 코팅에 선호되는 소재입니다. 또한 흑연과의 열팽창 계수가 가까워서 강한 결합을 형성할 수 있습니다. 추가적으로,탄탈륨카바이드(TaC) 코팅또한 좋은 선택이며 더 높은 온도(>2000℃) 환경에서도 견딜 수 있습니다.
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