실리콘 카바이드(SiC) 기판의 주요 매개변수

격자 매개변수:결함과 응력을 최소화하려면 기판의 격자 상수가 성장할 에피택셜 층의 격자 상수와 일치하는지 확인하는 것이 중요합니다.

스태킹 순서:거시적 구조SiC실리콘과 탄소 원자가 1:1 비율로 구성되어 있습니다. 그러나 원자층 배열이 다르면 결정 구조가 달라집니다. 그러므로,SiC다음과 같은 수많은 다형을 나타냅니다.3C-SiC, 4H-SiC, 6H-SiC, 각각 ABC, ABCB, ABCACB와 같은 스태킹 시퀀스에 해당합니다.

모스 경도:기판의 경도를 결정하는 것은 가공 용이성과 내마모성에 영향을 미치기 때문에 필수적입니다.

밀도:밀도는 기계적 강도와 열적 특성에 영향을 미칩니다.기판.

열팽창 계수:이는 가해지는 비율을 의미합니다.기판온도가 섭씨 1도 상승하면 길이나 부피가 원래 크기에 비해 증가합니다. 온도 변화에 따른 기판과 에피택셜 층의 열팽창 계수 호환성은 장치의 열 안정성에 영향을 미칩니다.

굴절률:광학 응용 분야의 경우 굴절률은 광전자 장치 설계에서 중요한 매개변수입니다.

유전 상수:이는 장치의 용량 특성에 영향을 미칩니다.

열 전도성:고전력 및 고온 애플리케이션에 중요한 열전도도는 장치의 냉각 효율에 영향을 미칩니다.

밴드갭:밴드갭은 반도체 물질의 가전자대 상단과 전도대 하단 사이의 에너지 차이를 나타냅니다. 이 에너지 차이는 전자가 가전자대에서 전도대로 전이할 수 있는지 여부를 결정합니다. 넓은 밴드갭 물질은 전자 전이를 여기시키기 위해 더 많은 에너지를 필요로 합니다.

고장 전기장:이는 반도체 재료가 견딜 수 있는 최대 전압입니다.

포화 드리프트 속도:이는 전하 캐리어가 전기장을 받을 때 반도체 재료에서 도달할 수 있는 최대 평균 속도를 나타냅니다. 전계 강도가 어느 정도 증가하면 전계가 더 증가해도 캐리어 속도는 더 이상 증가하지 않고 포화 표류 속도에 도달합니다.**

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