SOI란?

SOI(Silicon-On-Insulator)는 나노기술 시대에 기존의 단결정 실리콘 소재를 대체하는 솔루션 중 하나로 인식되며 무어의 법칙 추세를 유지하기 위한 주요 도구입니다. 전통적인 벌크 기판 실리콘을 "엔지니어링된" 기판으로 대체하는 기판 기술인 실리콘-온-절연체는 군용 및 우주 전자 시스템과 같은 특수 응용 분야에서 30년 이상 사용되어 왔으며 SOI는 뛰어난 성능으로 인해 고유한 이점이 있습니다. 방사선 저항 및 고속 특성.

SOI 소재는 SOI 기술 발전의 근간이며, SOI 기술의 발전은 SOI 소재의 지속적인 발전에 달려 있다. 저비용 고품질 SOI 재료의 부족은 SOI 기술이 대규모 산업 생산에 진입하는 데 있어 주요 제약 요소였습니다. 최근 SOI 재료 준비 기술의 성숙도에 따라 SOI 기술의 발전을 제한하는 재료 문제가 점차 해결되고 있으며, 궁극적으로 두 가지 유형의 SOI 재료 준비 기술, 즉 SIMOX(Speration-by-oxygen implantation)가 포함됩니다. 그리고 본딩 기술. 본딩 기술에는 전통적인 Bond and Etch back(BESOI) 기술과 프랑스 SOITEC의 창업자 중 한 명인 M. Bruel이 제안한 수소 이온 주입과 본딩을 결합한 Smart-cut 기술과 Simbond SOI 재료 준비 결합이 포함됩니다. 2005년 Meng Chen 박사가 제안한 산소 격리 및 결합. 새로운 기술은 산소 주입 격리 및 결합을 결합합니다.