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실리콘카바이드(SiC) 전력소자 시장의 급증과 전망

전 세계적으로 전기 자동차에 대한 수용이 점차 증가함에 따라 SiC(실리콘 카바이드)는 향후 10년 동안 새로운 성장 기회를 맞이하게 될 것입니다. 전력반도체 제조사와 자동차 산업 사업자들이 이 부문의 가치사슬 구축에 더욱 적극적으로 참여할 것으로 예상된다.

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EV 산업에서 SiC의 장점

와이드 밴드갭(WBG) 반도체 소재인 SiC는 에너지 차이가 더 넓어 기존 Si에 비해 열적, 전자적 특성이 더 높습니다. 이 기능을 사용하면 전력 장치가 더 높은 온도, 주파수 및 전압에서 작동할 수 있습니다.

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승화 SiC 성장의 도핑 제어

탄화규소(SiC)는 우수한 전기적 및 열적 특성으로 인해 전력 전자 장치 및 고주파 장치 제조에서 중요한 역할을 합니다. SiC 결정의 품질과 도핑 수준은 소자 성능에 직접적인 영향을 미치므로 도핑의 정밀한 제어는 SiC 성장 공정의 핵심 기술 중 하나입니다.

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MOCVD에 대해 알아보기

MOCVD는 기상 에피택셜 성장(VPE)을 기반으로 개발된 새로운 기상 에피택셜 성장 기술이다.

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물리적 증기 수송법(PVT)을 통해 SiC 및 AlN 단결정을 성장시키는 과정에서 도가니, 종자정 홀더, 가이드 링과 같은 구성 요소가 중요한 역할을 합니다. SiC 제조 과정에서 종자결정은 상대적으로 낮은 온도 영역에 위치하는 반면, 원료는 2400°C를 초과하는 고온 영역에 위치합니다. 원료는 고온에서 분해되어 SiXCy(Si, SiC2, Si2C 및 기타 구성 요소 포함)를 형성합니다.

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기판 절단 및 연삭 공정

SiC 기판 소재는 SiC 칩의 핵심이다. 기판의 생산 공정은 다음과 같습니다: 단결정 성장을 통해 SiC 결정 잉곳을 얻은 후; 그런 다음 SiC 기판을 준비하려면 다듬기, 둥글게 하기, 절단, 연삭(얇게 하기)이 필요합니다. 기계 연마, 화학 기계 연마; 및 청소, 테스트 등 프로세스

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TaC 코팅 흑연 부품의 응용

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