실리콘 단결정 인장용 석영 도가니

실리콘 단결정 풀링용 Semicorex 석영 도가니는 실리콘 웨이퍼 제조의 핵심 구성 요소입니다. 단결정 준비 단계에서는 직경, 결정 방향, 도핑 유형, 저항률 범위 및 분포, 산소 및 탄소 농도, 소수 캐리어 수명, 실리콘의 격자 결함과 같은 기술 매개변수를 결정합니다. 미세결함, 산소농도, 금속불순물, 캐리어 농도 균일도 등을 모두 일정 범위 내에서 제어해야 합니다.

초크랄스키 단결정 성장 공정에서 실리콘 단결정 인상용 석영 도가니는 실리콘의 녹는점(1420℃)보다 높은 온도를 견뎌야 합니다. 석영 도가니는 대부분 반투명하며 여러 층으로 구성됩니다.

외부 층은 기포 복합층이라고 불리는 기포 밀도가 높은 영역입니다. 내부 층은 기포 고갈 층이라고 불리는 3-5mm 투명 층입니다. 기포 공핍층이 존재하면 도가니-용액 접촉 면적의 밀도가 감소하여 단결정 성장이 향상됩니다.

석영 도가니의 내부 층은 실리콘 액체와 직접 접촉하기 때문에 지속적으로 실리콘으로 용해되고 도가니 투명층의 미세 기포는 성장하여 석영 입자와 미세 기포를 깨뜨려 방출합니다. 이러한 불순물은 전체 실리콘 용융물을 통해 흘러 실리콘 단결정의 결정화와 품질에 직접적인 영향을 미칩니다.

석영 도가니실리콘 단결정 풀링은 실리콘 액체와 직접 접촉하므로 생산 공정에서 효율적으로 제어되지 않는 불순물과 기포는 결정 풀링 결과에 분명히 영향을 미치고 결정 풀링 실패 및 재료 손상/폐기물로 이어질 수도 있습니다. 단결정 실리콘 웨이퍼는 고순도가 요구되고 단결정 풀링 공정 비용이 높기 때문에 실리콘 단결정 풀링용 석영 도가니에 대한 순도, 버블 성능, 품질 안정성에 대한 요구가 높습니다.

불순물: 불순물은 단결정의 성능과 수율에 직접적인 영향을 미칩니다. 따라서 불순물 함량은석영실리콘 단결정 풀링용 Semicorex 석영 도가니는 실리콘 웨이퍼 제조의 핵심 구성 요소입니다. 단결정 준비 단계에서는 직경, 결정 방향, 도핑 유형, 저항률 범위 및 분포, 산소 및 탄소 농도, 소수 캐리어 수명, 실리콘의 격자 결함과 같은 기술 매개변수를 결정합니다. 미세결함, 산소농도, 금속불순물, 캐리어 농도 균일도 등을 모두 일정 범위 내에서 제어해야 합니다.

기포: 고순도 석영 모래 자체에는 기액 함유물이 포함되어 있습니다. 결정을 끌어당기는 과정에서 실리콘 용융물과 접촉하는 도가니의 내부 표면은 지속적으로 실리콘 용융물에 용해됩니다.  투명층의 미세 기포는 지속적으로 성장하며, 가장 안쪽 표면에 가장 가까운 기포는 파열되어 석영 미세 입자와 미세 기포가 실리콘 용융물 속으로 방출됩니다. 이러한 미세 입자와 미세 기포 내의 불순물은 실리콘 용융물 전체에 운반되어 실리콘의 결정화(수율, 결정화 속도, 가열 시간, 직접 가공 비용 등) 및 단결정 실리콘의 품질(천공 웨이퍼, 블랙 칩 등)에 직접적인 영향을 미칩니다.