반도체 쿼츠 도가치

Semicorex 반도체 석영 도가치는 Silicon 단일 결정 제조의 결정 당기 공정에 사용되는 석영 도가니에 대해 반도체 산업에서 소비 가능한 제품입니다. 그들은 청결, 균질성 및 내열성을 만족시키는 초고 융합 석영에서 제조되며 현대 반도체 제조의 높은 수요를 충족시키기 위해 제조됩니다. 그것들은 그들의 속성이 통합 회로 처리에서 웨이퍼 성능에 직접적인 영향을 미치고 수율에 직접적인 영향을 미치기 때문에 실리콘 잉곳 사양에 필수적이다.

열 및 물리적 관점에서 : 석영 도가니는 열을 잘 견딜 수 있습니다. 변형 점은 약 1100 ° C이고 연화점은 약 1730 ° C이고 최대 연속 서비스 온도는 1100 ° C, [단기 노출 1450 ° C]입니다. 이러한 특성은 고온 및 열 복원력을 제공하면서 고온에서 유용성을 허용하고, 따라서 오염 및 변형이 최소화되어야하는 Czochralski (CZ) 결정 당기 공정 동안 안정성을 촉진하며, 정확한 열 프로파일은 균질 결정 성장을 얻는 데 가장 중요합니다.

구조적 관점으로부터, 반도체 석영 도가니 도가니아는 열 특성 및 기계적 강도를 위해 설계된 층상 복합 구조로 구성됩니다. 시작 (안쪽으로 이동) 층은 일반적으로 벽 두께의 3 분의 1 (약 3-5mm)이며, 가공 기술에 따라 상대적으로 낮은 버블 함량을 가지므로, 원활한 결함이없는 표면은 용융 실리콘 쿼츠 표면 (이는 오염 물질을 제어하고 결정 성장을 보장하는 경우).

외부는 도가니의 변형 강도, 열 응력 저항이 높을수록 열원으로부터의 열 단열에 기여하는 더 큰 수준의 기포로 겹쳐집니다. 도가니의 층은 결정 당기 공정에 존재하는 정도 차등 열 구배에도 불구하고 형태와 무결성을 유지할 수있게한다.

현대 석영 도가니는 제조 기술의 발전으로 인해 전통적인 2 층 구조보다 더 발전했습니다. 많은 도가니는 3 층 구조를 사용합니다. 즉, 투명한 내부 층, 석영을 통해 기포가 분산 된 투명한 중간 층 및 거품이 많은 석영의 외부 얇은 층을 사용합니다. 3 층 구조는 더 나은 기계적 강도, 열 관리 및 비용 이점을 제공하고 열 전달 특성을 향상시킵니다. 또한, 일부 도가니는 가장 안쪽 표면에 알칼리 금속 이온 (예를 들어, 바륨 이온 용액)의 코팅을 적용하거나 특정 층에 고순도 합성 석영을 사용하여 산소 함량을 줄이고, 순수성을 고갈시키고, 풀린 단결정의 전반적인 품질을 향상시킵니다.

반도체를위한 석영 도가니 제조는 필요한 순수성에서 엄격한 품질 관리 공차를 위해 보유되며, 이는 일반적으로 금속성 불순물의 수십억 분당 여러 부분입니다. 원료는 신중하게 선택되고 정제되어 오염 물질을 제거합니다. 그것들은 적절한 열처리가 적용된 거친 치수로 형성되며, 차원 정확도, 기계적 강도 및 청결을 해결하기 위해 표면이 완성되었습니다. 이 과정은 가혹한 화학 환경에서 장기간 고온 노출을받는 동안 도가니가 신뢰할 수 있도록 보장하기위한 것입니다.

반도체 생산에서 석영 도가니의 성능은 실리콘 결정 격자의 균일 성, 결함 밀도 및 잉곳의 산소에 영향을 미칩니다. 높은 순도와 결함이없는 쿼츠 도가니는 결정 결함의 탈구를 제한하고, 수율을 향상 시키며, 장치 형상을 전진시키는 웨이퍼를 생성하는 능력을 확립합니다. HGH- 성능 ICS, 태양 광 등급 실리콘 또는 전력 전자 장치의 생산자 인 경우 고품질의 석영 도가니를 선택하고 사용하는 것이 비용 성능을 확립하고 최적화하는 데 중요한 요소입니다.

Semicorex반도체 석영도가치는 실리콘 크리스탈 당기 시스템에 필수적인 보조 재료입니다. 순도, 고온 안정성 및 독점 다층 구조의 독특한 속성은 CZ 당 풀링 프로세스의 엄격함을 지원하는 동시에 일관되고 재현 가능한 성능을 제공하기에 적합한 재료입니다. 반도체 제조가 더 높은 통합 및 더 엄격한 공차로 이동함에 따라 정밀 엔지니어링 쿼츠 도가킬의 상당한 부가가치 이점은 차세대 전자 기술을 가능하게하고 개발하는 데 더욱 중요해질 것입니다.