SiC 코팅 흑연 도가니

고온의 결정성장로 중앙에 설치되며,SiC 코팅흑연 도가니는 히터, 단열 슬리브, 흐름 가이드 튜브 및 도가니 샤프트와 함께 작동하여 완전한 열장 시스템을 형성합니다. 이 열장 시스템은 결정 성장에 필수적인 안정적인 고온 환경을 유지할 수 있습니다.

SiC 코팅 생산흑연 도가니일반적으로 첨단 화학 기상 증착 기술을 사용하여 치밀한 물질을 균일하게 증착하는 것으로 시작됩니다.탄화규소형성된 흑연 기재의 표면에 코팅하는 단계. 고순도 성분으로 구성석묵기판과 치밀한 탄화규소 코팅, SiC 코팅 흑연 도가니는 흑연의 열 전도성과 탄화규소의 내식성을 결합한 시너지 구조를 형성합니다.

초크랄스키(Czochralski) 방법은 결정 성장을 위한 보편적인 산업 기술입니다. 이 기술은 결정 생산 중에 도가니에 원심력을 가합니다. SiC 코팅 흑연 도가니의 우수한 굴곡 강도와 인성은 고속 회전 시 파손이나 균열을 방지하여 도가니 손상으로 인한 생산 중단을 효과적으로 줄일 수 있습니다. 또한, 도가니는 이 과정에서 짧은 시간 내에 급격한 온도 변화를 겪어야 합니다. SiC 코팅 흑연 도가니는 탁월한 내열충격성 덕분에 열 응력과 관련된 구조적 손상을 줄이고 형태의 안정성을 보장하여 도가니 변형으로 인한 결정 성장 결함을 낮출 수 있습니다.

고온에서 SiC 코팅 흑연 도가니는 탄화규소로 이루어진 조밀한 보호층을 형성합니다. 이 보호층은 흑연 기판을 실리콘 증기 및 용융 실리콘으로부터 격리할 수 있으므로 코팅 박리와 관련된 흑연 기판 부식 및 결정 오염 위험을 최소화할 수 있습니다. 따라서 Semicorex의 SiC 코팅 흑연 도가니는 실제 작동 시 장기간 동안 다양하고 복잡한 고온 부식 환경을 견딜 수 있습니다. 이는 일관된 결정 구성을 보장하고 결함률을 감소시키며, 이는 고품질 반도체 결정 생산에 필수적입니다.