ALN 단일 크리스탈 웨이퍼

Semicorex ALN 단일 크리스탈 웨이퍼는 반도체 기술의 혁신적인 발전으로, 뛰어난 전기, 열 및 기계적 특성의 독특한 조합을 제공합니다. 6.2 eV의 밴드 갭을 갖는 초대형 밴드 갭 반도체 재료로서, ALN은 고전력, 고주파 및 딥 자외선 (UV) 광전자 장치에 대한 최적의 기질로 점차 인식되고있다. 이들 특성은 ALN을 사파이어, 실리콘 카바이드 (SIC) 및 질화 갈륨 (GAN)과 같은 전통적인 기판에 대한 우수한 대안으로, 특히 극한 열 안정성, 높은 파괴 전압 및 우수한 열전도율을 요구하는 응용 분야에서.

현재, ALN 단일 크리스탈 웨이퍼는 직경이 최대 2 인치의 크기로 상업적으로 이용 가능합니다. 연구 개발 노력이 계속됨에 따라 Crystal Growth Technologies의 발전은 더 큰 웨이퍼 크기를 가능하게하여 생산 확장 성을 향상시키고 산업 응용 분야의 비용을 줄일 것으로 예상됩니다.

SIC 단결정 성장과 유사하게, ALN 단결정은 용융 방법에 의해 성장할 수 없지만 물리 증기 수송 (PVT)에 의해서만 성장할 수있다.

ALN 단결정 PVT 성장을위한 세 가지 중요한 성장 전략이 있습니다.

1) 자발적 핵 생성 성장

2) 4H-/6H-SIC 기질에서의 이종 에피 택시 성장

3) 동종 에피 택셜 성장

ALN 단일 크리스탈 웨이퍼는 6.2 eV의 초대형 밴드 갭으로 구별되며, 이는 뛰어난 전기 절연과 비교할 수없는 깊은 UV 성능을 보장합니다. 이 웨이퍼는 SIC 및 GAN의 고장 전기장을 자랑하며 고출력 전자 장치의 최적 선택으로 배치합니다. 약 320 w/mk의 인상적인 열 전도도를 통해 효율적인 열 소산을 보장합니다. ALN은 화학적이고 열적으로 안정적 일뿐 만 아니라 극한 환경에서도 최고 성능을 유지합니다. 우수한 방사선 저항은 우주 및 핵 응용 분야에 대한 타의 추종을 불허하는 옵션입니다. 또한, 놀라운 압전 특성, 높은 톱 속도 및 강한 전자 기계적 커플 링은 GHZ 수준의 톱 장치, 필터 및 센서의 뛰어난 후보로 설정합니다.

ALN 단일 크리스탈 웨이퍼는 다양한 고성능 전자 및 광전자 장치에서 광범위한 응용 분야를 찾습니다. 이들은 멸균, 물 정제 및 생물 의학 응용을 위해 200-280 nm 범위에서 작동하는 깊은 UV LED, 고급 산업 및 의료 분야에서 사용되는 UV 레이저 다이오드 (LD)를 포함하여 깊은 자외선 (DUV) 광전자의 이상적인 기판 역할을합니다. ALN은 또한 고출력 및 고주파 전자 장치, 특히 무선 주파수 (RF) 및 전자 레인지 구성 요소에서 널리 사용되며, 높은 고장 전압 및 낮은 전자 산란은 전력 증폭기 및 통신 시스템의 우수한 성능을 보장합니다. 또한 전력 전자 장치에서 중요한 역할을하여 전기 자동차, 재생 가능 에너지 시스템 및 항공 우주 응용 분야에서 인버터 및 변환기의 효율성을 향상시킵니다. 또한 ALN의 우수한 압전 특성과 높은 톱 속도는 통신, 신호 처리 및 감지 기술에 필수적인 표면 음향 파 (SAW) 및 BAW (Bulk Acoustic Wave) 장치에 대한 최적의 재료입니다. 탁월한 열전도율로 인해 ALN은 또한 고전력 LED, 레이저 다이오드 및 전자 모듈을위한 열 관리 솔루션의 핵심 재료로 효과적인 열산을 제공하고 장치 장수를 개선합니다.

Semicorex ALN 단일 크리스탈 웨이퍼는 반도체 기판의 미래를 나타내며, 비교할 수없는 전기, 열 및 압전 특성을 제공합니다. 심층 UV 광전자, 전력 전자 장치 및 음향 파 장치에서의 응용은 차세대 기술을위한 인기있는 자료가됩니다. 제조 기능이 계속 향상됨에 따라 ALN Wafers는 고성능 반도체 장치의 필수 구성 요소가되어 여러 산업 전반에 걸쳐 혁신적인 발전을위한 길을 열어 줄 것입니다.