SiC 코팅 흑연 서셉터를 선택하는 이유는 무엇입니까?

흑연 서셉터MOCVD 장비의 필수 부품 중 하나로 Wafer 기판의 Carrier 및 Heater 역할을 합니다. 열적 안정성과 열 균일성의 특성은 웨이퍼 에피택셜 성장의 품질에 결정적인 역할을 하며, 이는 레이어 재료의 균일성과 순도를 직접적으로 결정하므로 그 품질은 에피택시 준비에 직접적인 영향을 미칩니다. 한편, 사용 횟수의 증가와 작업 조건의 변화에 ​​따라 분실하기 매우 쉽고 소모품에 속합니다. Graphite의 우수한 열전도율과 안정성은 다음과 같은 장점을 가지고 있습니다.MOCVD 장비의 기본 부품. 그러나 순수한 흑연만 사용하면 몇 가지 문제에 직면하게 됩니다. 생산 공정에서 부식성 가스 및 금속 유기물 잔류물이 발생하고 흑연 베이스가 부식되어 분말이 떨어져서 수명이 크게 단축됩니다.흑연 서셉터, 그리고 떨어지는 흑연 분말은 또한 칩에 오염을 일으킬 것이므로 베이스 준비 과정에서도 이러한 문제는 베이스 준비 중에 해결해야 합니다. 코팅 기술은 표면 분말 고정을 제공하고 열전도율을 향상시키며 열 분포를 균등화할 수 있어 이 문제를 해결하는 주요 기술이 됩니다. 주요 기술은 이 문제를 해결하는 것입니다. 응용 프로그램 환경 및 요구 사항에 따라흑연 서셉터, 표면 코팅은 다음과 같은 특성을 가져야 합니다.

고밀도 및 전체 래핑: 흑연 베이스는 전체적으로 고온의 부식성 작업 환경에 있으며 표면은 완전히 래핑되어야 하며 코팅은 우수한 보호 역할을 하기 위해 밀도가 높아야 합니다.

우수한 표면 평탄도: 단결정 성장에 사용되는 흑연 베이스는 매우 높은 표면 평탄도를 요구하므로 코팅이 준비된 후에도 베이스의 원래 평탄도가 유지되어야 합니다. 즉, 코팅 표면이 균일해야 합니다.

우수한 결합 강도: 흑연 베이스와 코팅 재료 사이의 열팽창 계수 차이를 줄이면 둘 사이의 결합 강도를 효과적으로 향상시킬 수 있으며 고온 및 저온 열 사이클 후에 코팅이 깨지기 쉽지 않습니다.

높은 열전도율: 고품질의 칩 성장에는 흑연 기반의 빠르고 균일한 열이 필요하므로 코팅 재료는 높은 열전도율을 가져야 합니다.

높은 융점, 고온 산화 및 내부식성: 코팅은 고온 및 부식성 작업 환경에서 안정적으로 작동할 수 있어야 합니다.