SiC 성장을 위한 액상법은 PVT법과 비교하여 다음과 같은 장점이 있습니다.
액상 방법은 열역학적 평형 조건에 더 가깝고 더 나은 품질로 SiC 결정을 성장시킬 수 있습니다.
연구 결과에 따르면 TaC 코팅은 흑연 구성 요소 수명을 연장하고 방사상 온도 균일성을 개선하며 SiC 승화 화학량론을 유지하고 불순물 이동을 억제하며 에너지 소비를 줄이는 보호 및 격리 층 역할을 할 수 있습니다. 궁극적으로 TaC 코팅 흑연 도가니 세트는 SiC PVT 공정 제어 및 제품 품질을 향상시킬 것으로 기대됩니다.
화학기상증착(Chemical Vapor Deposition, CVD)은 진공 및 고온 조건에서 두 개 이상의 기체 원료를 반응 챔버에 투입하는 것을 말하며, 여기서 기체 원료가 서로 반응하여 새로운 물질을 형성하고, 이 물질이 웨이퍼 표면에 증착됩니다.
2027년에는 태양광 발전(PV)이 석탄을 앞지르며 세계 최대 설치 용량이 될 것입니다. 우리 예측에 따르면 태양광 PV의 누적 설치 용량은 이 기간 동안 거의 1,500기가와트 증가하여 거의 3배 증가하고 2026년에는 천연가스를, 2027년에는 석탄을 능가할 것입니다.
SiC 기반과 Si 기반 GaN의 응용 분야는 엄격하게 구분되지 않습니다. GaN-On-SiC 소자에서는 SiC 기판의 가격이 상대적으로 높으며, SiC 장정체 기술의 성숙도가 높아짐에 따라 소자의 가격은 더욱 하락할 것으로 예상되어 전력 전자 분야의 전력 소자에 사용되고 있다.