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에피택시 웨이퍼 공정이란?

에피택셜 웨이퍼 공정은 반도체 제조에 사용되는 중요한 기술입니다. 기판과 동일한 결정 구조 및 방향을 갖는 기판 위에 결정 물질의 얇은 층을 성장시키는 것을 포함합니다. 이 프로세스는 두 재료 사이에 고품질 인터페이스를 생성하여 고급 전자 장치의 개발을 가능하게 합니다.

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SiC 에피택시란?

실리콘 카바이드(SiC) 에피택시는 반도체 분야, 특히 고전력 전자 장치 개발을 위한 핵심 기술입니다. SiC는 밴드갭이 넓은 화합물 반도체로 고온 및 고전압 작동이 필요한 응용 분야에 이상적입니다.

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반도체를 분류하는 방법

반도체는 6가지 분류가 있는데, 제품 규격, 처리 신호 종류, 제조 공정, 사용 기능, 응용 분야, 설계 방법에 따라 분류된다.

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반도체란?

반도체는 원자핵 최외곽층에서 전자의 손실과 이득이 같은 확률로 도체와 절연체 사이의 전기적 특성을 안내하는 물질로 PN접합으로 쉽게 만들어지는 물질이다. "실리콘(Si)", "게르마늄(Ge)" 및 기타 재료 등.

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