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업계 뉴스

GaN 단결정

반도체 기술은 현대 문명의 중추 역할을 해 왔으며, 우리가 살고 일하고 세계와 상호 작용하는 방식을 근본적으로 변화시켰습니다. 이는 정보기술, 에너지, 통신, 헬스케어 등 다양한 분야에서 유례없는 발전을 가능하게 했습니다. 스마트폰과 컴퓨터에 전원을 공급하는 마이크로프로세서부터 의료 기기의 센서, 재생 에너지 시스템의 전력 전자 장치에 이르기까지 반도체는 지난 세기의 거의 모든 기술 혁신의 핵심입니다.

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SiC 세라믹: 반도체 제조의 고정밀 부품에 없어서는 안 될 소재

현대 기술 발전의 초석인 반도체 제조는 더 작고, 더 빠르며, 더 효율적인 집적 회로를 끊임없이 추구하고 있습니다. 이러한 끊임없는 추구로 인해 각 단계는 고성능, 고품질, 고정밀 장비에 크게 의존하는 점점 더 정확하고 정교한 제조 프로세스의 필요성이 높아졌습니다. 고성능 구조용 세라믹 소재인 탄화규소(SiC)는 이러한 까다로운 환경에서 중요한 역할을 합니다.

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흑연화 정도란 무엇입니까?

흑연화 정도는 탄소 원자가 촘촘하게 채워진 육각형 흑연 결정 구조를 형성하는 데 얼마나 가까운지 평가하는 데 사용되는 필수 척도입니다.

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박막 성장 과정

일반적인 박막은 크게 반도체박막, 유전체박막, 금속/금속화합물박막의 3가지로 분류된다.

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3C-SiC의 헤테로에피택시: 개요

실리콘 카바이드의 중요한 다형인 3C-SiC의 개발은 반도체 재료 과학의 지속적인 발전을 반영합니다. 1980년대 Nishino et al. 는 화학 기상 증착(CVD)[1]을 사용하여 실리콘 기판에 4μm 두께의 3C-SiC 필름을 최초로 달성하여 3C-SiC 박막 기술의 기반을 마련했습니다.

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단결정 실리콘 대 다결정 실리콘

단결정 실리콘과 다결정 실리콘은 각각 고유한 장점과 적용 가능한 시나리오를 가지고 있습니다. 단결정 실리콘은 우수한 전기적, 기계적 특성으로 인해 고성능 전자제품 및 마이크로일렉트로닉스에 적합합니다. 반면, 다결정 실리콘은 저렴한 가격과 우수한 광전 변환 효율로 인해 태양전지 분야를 지배하고 있습니다.

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