SIC 코팅 흑연 트레이

Semicorex SIC 코팅 흑연 트레이는 에피 택셜 성장 환경을 요구하기 위해 특별히 조작 된 고급 재료입니다. UV LED 산업, 특히 Algan 기반 장치의 제조에서 이러한 트레이는 금속 유기 화학 증기 증착 (MOCVD) 공정 동안 균일 한 열 분포, 화학적 안정성 및 긴 서비스 수명을 보장하는 데 중요한 역할을합니다.

Algan 물질의 에피 택셜 성장은 높은 공정 온도, 공격적인 전구체 및 고도로 균일 한 필름 증착의 필요성으로 인한 독특한 과제를 제시합니다. 당사의 SIC 코팅 흑연 트레이는 우수한 열전도율, 고순도 및 화학 공격에 대한 뛰어난 저항을 제공함으로써 이러한 과제를 충족하도록 설계되었습니다. 흑연 코어는 구조적 무결성과 열 충격 저항을 제공하지만 조밀 한SIC 코팅암모니아 및 금속 유기 전구체와 같은 반응성 종에 대한 보호 장벽을 제공합니다.

SIC 코팅 된 흑연 트레이는 종종 금속 유기 화학 증기 증착 (MOCVD) 장비에서 단결정 기판을지지하고 가열하는 성분으로 사용됩니다. SIC 코팅 흑연 트레이의 열 안정성, 열 균일 성 및 기타 성능 파라미터는 에피 택셜 재료 성장의 품질에 결정적인 역할을하므로 MOCVD 장비의 핵심 핵심 구성 요소입니다.

금속 유기 화학 증기 증착 (MOCVD) 기술은 현재 청색광 LED에서 GAN 박막의 에피 택셜 성장을위한 주류 기술입니다. 그것은 간단한 작동, 제어 가능한 성장률 및 성장한 GAN 박막의 고순도의 장점이 있습니다. MoCVD 장비의 반응 챔버에서 중요한 성분으로서 GAN 박막의 에피 택셜 성장에 사용 된 SIC 코팅 된 흑연 트레이는 고온 저항, 균일 한 열전도율, 우수한 화학적 안정성 및 강한 열 충격 저항의 장점을 가져야한다. 흑연 재료는 위의 조건을 충족 할 수 있습니다.

MoCVD 장비의 핵심 구성 요소 중 하나로SIC 코팅 흑연트레이는 기판 기판의 담체 및 가열 요소이며, 이는 박막 재료의 균일 성과 순도를 직접 결정한다. 따라서 품질은 에피 택셜 웨이퍼의 준비에 직접적인 영향을 미칩니다. 동시에, 근무 조건의 용도와 변화의 수가 증가함에 따라 마모가 매우 쉽고 찢어 질 수 있습니다.

흑연은 우수한 열 전도성 및 안정성을 가지므로 MoCVD 장비의 기본 성분으로서 좋은 이점이되지만 생산 공정에서 흑연은 잔류 부식 가스 및 금속 유기물로 인해 부식 및 분말로 이어져 흑연베이스의 서비스 수명을 크게 줄입니다. 동시에, 타락한 흑연 가루는 칩에 오염을 일으킬 것입니다.

코팅 기술의 출현은 표면 분말 고정을 제공하고 열전도율을 높이며 열 분포를 균형을 잡을 수 있으며이 문제를 해결하는 주요 기술이되었습니다. 흑연베이스는 MOCVD 장비 환경에서 사용되며 흑연베이스의 표면 코팅은 다음과 같은 특성을 충족해야합니다.

(1) 흑연베이스를 완전히 감싸고 밀도가 양호 할 수 있습니다. 그렇지 않으면 흑연베이스는 부식성 가스로 쉽게 부식됩니다.

(2) 다수의 고온 및 저온주기를 경험 한 후 코팅이 쉽게 떨어질 수 없도록 흑연베이스에 대한 결합 강도가 높다.

(3) 고온 및 부식성 대기에서 코팅이 고장되는 것을 피하기 위해 화학적 안정성이 우수하다.

SIC는 부식성, 높은 열전도율, 열 충격 저항 및 높은 화학적 안정성의 장점을 가지고 있으며 Gan 에피 택셜 대기에서 잘 작동 할 수 있습니다. 또한, SIC의 열 팽창 계수는 흑연의 열 팽창 계수에 매우 가깝기 때문에 SIC는 흑연 염기의 표면 코팅에 선호되는 물질이다.

현재, 공통 SIC는 주로 3C, 4H 및 6H 유형이며, 다른 결정 형태의 SIC는 다른 용도를 갖는다. 예를 들어, 4H-SIC는 고출력 장치를 제조하는 데 사용될 수 있습니다. 6H-SIC는 가장 안정적이며 광전자 장치를 제조하는 데 사용될 수 있습니다. 3C-SIC는 GAN과 유사한 구조로 인해 GAN 에피 택셜 층을 생산하고 SIC-GAN RF 장치를 제조하는 데 사용될 수 있습니다. 3C-SIC는 일반적으로 β-SIC라고도합니다. β-SIC의 중요한 사용은 박막 및 코팅 재료입니다. 따라서, β-SIC는 현재 코팅의 주요 물질이다.