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SiC 코팅 하프문 부품
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SiC 코팅 하프문 부품

Semicorex SiC 코팅 하프문 부품은 에피택셜 장비의 필수 요소로 설계된 정밀 엔지니어링 부품으로, 두 개의 반달 모양 섹션이 결합되어 완전한 코어 어셈블리를 형성합니다. Semicorex를 선택한다는 것은 고급 반도체 제조를 위한 안정적인 웨이퍼 지지와 효율적인 열 전도를 보장하는 신뢰할 수 있고 순도가 높으며 내구성이 뛰어난 솔루션을 확보한다는 것을 의미합니다.*

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제품 설명

프리미엄 탄화규소(SiC)로 코팅된 하프문 부품은 웨이퍼 캐리어이자 열 전도체로서 에피택시 공정의 필수 기능입니다. 특수한 반달 모양은 에피택셜 반응기 내 고정 장치 역할을 하는 원통형 형태로 조립하는 방법을 제공합니다. 챔버 또는 반응기 환경 내에서 웨이퍼는 고정되어야 하지만 중요한 박막 증착이 진행되는 동안 균일하게 가열되어야 합니다. SiC 코팅된 하프문 부품은 이러한 작업을 수행하는 데 적합한 양의 기계적 지지력, 열 안정성 및 화학적 내구성을 제공합니다.


석묵Halfmoon Parts의 기판 소재로 열 전도성이 매우 우수하고 무게와 강도가 상대적으로 낮기 때문에 선택되었습니다. 흑연의 표면은 조밀한 고순도 화학 기상 증착 실리콘 카바이드(CVD SiC) 표면으로 덮여 있어 에피택셜 성장과 관련된 공격적인 환경에 대해 견고합니다. SiC 코팅은 부품의 표면 경도를 향상시키고 수소 및 염소와 같은 반응성 가스에 대한 저항성을 제공하여 가공 중에 우수한 장기 안정성과 매우 제한된 오염을 제공합니다. 흑연과 SiC는 Halfmoon 부품에서 함께 작동하여 기계적 강도와 화학적 및 열적 특성의 적절한 균형을 제공합니다.


의 가장 중요한 역할 중 하나는SiC 코팅Halfmoon Parts는 웨이퍼를 지원합니다. 웨이퍼는 결정층에서 격자 구조의 균일한 성장을 촉진하기 위해 전체 에피택시 전체에 걸쳐 편평하고 안정적이어야 합니다. 지지 부품의 어느 정도 굴곡이나 불안정성은 에피택시에 결함 층을 도입할 수 있으며 궁극적으로 장치 성능에 영향을 미칠 수 있습니다. Halfmoon 부품은 뒤틀림 가능성을 제한하고 주어진 에피택셜 레시피에서 적절한 웨이퍼 배치를 제공하기 위해 고온에서 최고의 치수 안정성을 위해 세심하게 제조되었습니다. 이러한 구조적 무결성은 더 나은 에피택시 품질과 더 높은 수율로 이어집니다.


Halfmoon Parts의 똑같이 중요한 기능은 열전도입니다. 에피택셜 챔버에서는 균일하고 정상 상태의 열전도율이 고품질 박막을 얻는 데 핵심입니다. 흑연 코어는 가열 과정을 돕고 균일한 온도 분포를 촉진하기 위해 열 전도성에 이상적으로 적합합니다. SiC 코팅은 공정 중 열 피로, 성능 저하 및 오염으로부터 코어를 보호합니다. 따라서 균일한 온도 전달을 달성하고 결함 없는 에피택셜 층의 개발을 지원하기 위해 웨이퍼를 균일하게 가열할 수 있습니다. 즉, 특정 열 조건을 요구하는 박막 성장 공정의 경우 SiC 코팅 Halfmoon 부품은 효율성과 신뢰성을 모두 제공합니다. 수명은 구성 요소의 핵심 측면입니다. 에피택시는 흔히 일반 건축 자재가 성능 저하 없이 견딜 수 있는 수준을 초과하는 높은 온도에서의 열 순환으로 구성됩니다.


청결함은 또 다른 중요한 이점입니다. 에피택시는 오염에 매우 민감하기 때문에 매우 순도가 높은 CVD SiC 코팅을 사용하면 반응 챔버의 오염이 제거됩니다. 이는 입자 생성을 최소화하고 웨이퍼를 결함으로부터 보호합니다. 장치 기하학적 구조의 지속적인 소형화와 에피택셜 공정 요구 사항의 지속적인 축소로 인해 일관된 생산 품질을 확보하는 데 오염 제어가 중요해졌습니다.


Semicorex SiC 코팅 하프문 부품은 청결 문제를 해결할 뿐만 아니라 유연성이 뛰어나 다양한 에피택셜 시스템 구성에 맞게 조정될 수 있습니다. 또한 정확한 장비에 가정적으로 맞는 특정 치수, 코팅 두께 및 설계/공차로 제조될 수도 있습니다. 이러한 유연성은 기존 장비가 원활하게 통합되고 가장 유리한 프로세스 호환성을 유지할 수 있도록 보장하는 데 도움이 됩니다.

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