중국 웨이퍼 제조업체, 공급업체, 공장

반도체 웨이퍼란?

반도체 웨이퍼는 집적 회로(IC) 및 기타 전자 장치 제조의 기초 역할을 하는 얇고 둥근 반도체 재료입니다. 웨이퍼는 다양한 전자 부품이 만들어지는 평평하고 균일한 표면을 제공합니다.

웨이퍼 제조 공정에는 원하는 반도체 재료의 큰 단결정을 성장시키고, 다이아몬드 톱을 사용하여 결정을 얇은 웨이퍼로 자르고, 웨이퍼를 연마 및 세척하여 표면 결함이나 불순물을 제거하는 등 여러 단계가 포함됩니다. 그 결과 웨이퍼는 매우 평평하고 매끄러운 표면을 가지게 되는데, 이는 후속 제조 공정에 매우 중요합니다.

웨이퍼가 준비되면 포토리소그래피, 에칭, 증착, 도핑 등 일련의 반도체 제조 공정을 거쳐 전자 부품을 만드는 데 필요한 복잡한 패턴과 레이어를 만듭니다. 이러한 프로세스는 단일 웨이퍼에서 여러 번 반복되어 여러 집적 회로 또는 기타 장치를 만듭니다.

제조 공정이 완료되면 미리 정의된 선을 따라 웨이퍼를 다이싱하여 개별 칩을 분리합니다. 그런 다음 분리된 칩을 포장하여 보호하고 전자 장치에 통합하기 위한 전기 연결을 제공합니다.

웨이퍼의 다양한 재료

반도체 웨이퍼는 풍부함, 우수한 전기적 특성 및 표준 반도체 제조 공정과의 호환성으로 인해 주로 단결정 실리콘으로 만들어집니다. 그러나 특정 응용 분야 및 요구 사항에 따라 다른 재료를 사용하여 웨이퍼를 만들 수도 있습니다. 다음은 몇 가지 예입니다.

실리콘 카바이드(SiC): SiC는 우수한 열전도성과 고온 성능으로 알려진 와이드 밴드갭 반도체 소재입니다. SiC 웨이퍼는 전력변환기, 인버터, 전기차 부품 등 고전력 전자기기에 사용된다.

질화 갈륨(GaN): GaN은 뛰어난 전력 처리 기능을 갖춘 광대역 간격 반도체 소재입니다. GaN 웨이퍼는 전력 전자 장치, 고주파 증폭기 및 LED(발광 다이오드) 생산에 사용됩니다.

갈륨비소(GaAs): GaAs는 특히 고주파 및 고속 응용 분야에서 웨이퍼에 사용되는 또 다른 일반적인 재료입니다. GaAs 웨이퍼는 RF(무선 주파수) 및 마이크로파 장치와 같은 특정 전자 장치에 더 나은 성능을 제공합니다.

인화인듐(InP): InP는 전자 이동성이 뛰어난 물질로 레이저, 광검출기, 고속 트랜지스터와 같은 광전자 장치에 자주 사용됩니다. InP 웨이퍼는 광섬유 통신, 위성 통신 및 고속 데이터 전송 분야의 응용 분야에 적합합니다.