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3C-SiC 웨이퍼 기판

3C-SiC 웨이퍼 기판

Semicorex 3C-SiC 웨이퍼 기판은 SiC와 입방정으로 만들어집니다. 우리는 수년 동안 반도체 웨이퍼의 제조업체이자 공급업체였습니다. 우리는 중국에서 당신의 장기적인 파트너가 되기를 기대합니다.

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제품 설명

3C-SiC(cubic silicon carbide) 웨이퍼 기판은 반도체 장치 제조 분야에서 기판 재료로 일반적으로 사용되는 특정 유형의 탄화규소 결정 구조를 말합니다. 우수한 재료 특성으로 인해 실리콘(Si) 또는 실리콘 게르마늄(SiGe)과 같은 다른 실리콘 기반 기판의 대안입니다.

다이아몬드에 이어 열전도율이 높은 3C-SiC 웨이퍼 기판. 실리콘 카바이드는 우수한 열 전도성, 높은 파괴 전계 강도 및 넓은 밴드갭으로 유명하여 전력 전자 장치, 고온 장치 및 고주파 장치에 매우 적합합니다.





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