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4인치 고순도 반절연 HPSI SiC 양면 연마 웨이퍼 기판
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4인치 고순도 반절연 HPSI SiC 양면 연마 웨이퍼 기판

Semicorex는 다양한 유형의 4H 및 6H SiC 웨이퍼를 제공합니다. 우리는 수년 동안 웨이퍼 기판의 제조업체이자 공급업체였습니다. 당사의 4인치 고순도 반절연 HPSI SiC 양면 광택 웨이퍼 기판은 가격 이점이 우수하고 대부분의 유럽 및 미국 시장을 커버합니다. 우리는 중국에서 당신의 장기적인 파트너가 되기를 기대합니다.

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제품 설명

Semicorex는 N형, P형 및 고순도 반절연 웨이퍼가 있는 4H 및 6H 기판을 포함하여 완전한 실리콘 카바이드(SiC) 웨이퍼 제품 라인을 보유하고 있으며 에피택시가 있거나 없을 수 있습니다.

최첨단 4인치 고순도 반절연 HPSI SiC 양면 연마 웨이퍼 기판을 소개합니다. 이 기판은 고급 전자 및 반도체 응용 분야의 까다로운 요구 사항을 충족하도록 설계된 최고급 제품입니다.

4인치 고순도 반절연 HPSI SiC 양면 연마 웨이퍼 기판은 주로 5G 통신, 레이더 시스템, 안내 헤드, 위성 통신, 전투기 및 기타 분야에 사용되며 RF 범위, 초장거리 향상이라는 이점이 있습니다. 식별, 방해 전파 방지 및 고속, 고용량 정보 전송 및 기타 응용 프로그램은 마이크로파 전원 장치를 만드는 데 가장 이상적인 기판으로 간주됩니다.


명세서:

â 직경: 4â³

â 이중 광택

âl 등급: 생산, 연구, 더미

â 4H-SiC HPSI 웨이퍼

두께: 500±25μm

âl 마이크로파이프 밀도: ¤1 ea/cm2~ ≤10개/cm2


항목

생산

연구

가짜의

크리스탈 매개변수

폴리타입

4시간

축상의 표면 방향

<0001>

축에서 벗어난 표면 방향

0±0.2°

(0004)FWHM

â¤45arcsec

≤60arcsec

â¤1OOarcsec

전기적 매개변수

유형

HPSI

비저항

≤1 E9ohm·cm

100% 면적 > 1 E5ohm·cm

70% 면적 > 1 E5ohm·cm

기계적 매개변수

지름

99.5~100mm

두께

500±25μm

기본 평면 방향

[1-100]±5°

기본 플랫 길이

32.5±1.5mm

보조 플랫 위치

기본 평면 ±5°에서 90° CW. 실리콘 페이스 업

보조 평면 길이

18±1.5mm

TTV

â¤5μm

~10μm

≤20μm

LTV

â¤2μm(5mm*5mm)

≤5μm(5mm*5mm)

NA

절하다

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

경사

≤20μm

≤45μm

≤50μm

정면(Si-face)조도(AFM)

Raâ¤0.2nm (5μm*5μm)

구조

마이크로파이프 밀도

â¤1개/cm2

≤5개/cm2

≤10개/cm2

탄소 함유 밀도

â¤1개/cm2

NA

육각형 보이드

없음

NA

금속 불순물

≤5E12atoms/cm2

NA

전면 품질

앞쪽

표면 마감

사이페이스 CMP

입자

≤60ea/wafer (크기 ≤0.3μm)

NA

흠집

≤2ea/mm. 누적 길이 ¤Diameter

누적 길이 ¤2*Diameter

NA

오렌지 껍질/구멍/얼룩/줄무늬/균열/오염

없음

NA

에지 칩/인덴트/파손/육각 플레이트

없음

폴리타입 영역

없음

누적 면적 ¤20%

누적 면적 ¤30%

전면 레이저 마킹

없음

백 품질

후면 마감

C-페이스 CMP

흠집

â¤5ea/mm,누적길이 ¤2*Diameter

NA

후면 결함(가장자리 칩/인덴트)

없음

뒷면 거칠기

Raâ¤0.2nm (5μm*5μm)

백 레이저 마킹

1mm(상단 가장자리에서)

가장자리

가장자리

모따기

포장

포장

내부 백은 질소로 채워지고 외부 백은 진공 청소기로 청소됩니다.

다중 웨이퍼 카세트, epi-ready.

*참고: "NA"는 요청 없음을 의미합니다. 언급되지 않은 항목은 SEMI-STD를 나타낼 수 있습니다.




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