에칭 웨이퍼 캐리어

Semicorex 에칭 웨이퍼 캐리어는 반도체 제조 공정, 특히 웨이퍼 에칭 애플리케이션을 위해 설계된 고성능 기판지지 플랫폼입니다. 고급 흑연베이스로 설계하고 화학 증기 증착 (CVD) 실리콘 카바이드 (SIC)로 코팅 된이 웨이퍼 캐리어는 탁월한 화학 저항, 열 안정성 및 기계적 내구성을 제공하여 고정산 에칭 환경에서 최적의 성능을 보장합니다.

에칭 웨이퍼 캐리어는 균일 한 CVD SIC 층으로 코팅되어 에칭 공정에 사용되는 공격적인 혈장 및 부식성 가스에 대한 화학 저항성을 크게 향상시킨다. CVD는 현재 기판 표면에서 SIC 코팅을 준비하는 주요 기술입니다. 주요 과정은 기체 상 반응물 원료가 기판 표면에서 일련의 물리적 및 화학 반응을 겪고, 마지막으로 기판 표면에 침착하여 SIC 코팅을 준비한다는 것이다. CVD 기술에 의해 제조 된 SIC 코팅은 기판 표면에 밀접하게 결합되어 기판 물질의 산화성 및 절제 저항을 효과적으로 개선시킬 수 있지만,이 방법의 증착 시간은 길고 반응 가스는 특정 독성 가스를 함유한다.

CVD 실리콘 카바이드 코팅부품은 에칭 장비, MOCVD 장비, SI 에피 택셜 장비 및 SIC 에피 택셜 장비, 빠른 열 처리 장비 및 기타 필드에 널리 사용됩니다. 전반적으로 CVD 실리콘 카바이드 코팅 부품의 가장 큰 시장 부문은 에칭 장비 및 에피 택셜 장비 부품입니다. 클로린 함유 및 불소 함유 에칭 가스에 대한 CVD 실리콘 카바이드 코팅의 반응성이 낮은 반응성 및 전도도로 인해 링 및 혈장 에칭 장비의 다른 부분에 초점을 맞추는 데 이상적인 재료가됩니다.CVD SIC 부품에칭 장비에는 포함됩니다포커스 고리, 가스 샤워 헤드, 트레이,에지 링등. 초점 링을 예로 들어보십시오. 포커스 링은 웨이퍼 외부에 배치되고 웨이퍼와 직접 접촉하는 중요한 구성 요소입니다. 전압은 고리에 적용되어 고리를 통과하는 플라즈마에 초점을 맞추고, 혈장에 혈장을 초점하여 처리 균일 성을 향상시킨다. 전통적인 초점 링은 실리콘 또는 석영으로 만들어집니다. 통합 회로 소형화의 발전으로 통합 회로 제조에서 에칭 프로세스의 수요와 중요성이 증가하고 있으며, 에칭 플라즈마의 전력과 에너지는 계속 증가하고 있습니다.

SIC 코팅은 불소 기반 (FAT) 및 염소 기반 (CL₂) 혈장 에칭 화학에 대한 우수한 저항을 제공하여 분해를 방지하고 장기간 사용에 대한 구조적 무결성을 유지합니다. 이 화학적 견고성은 웨이퍼 처리 중 일관된 성능을 보장하고 오염 위험을 줄입니다. 웨이퍼 캐리어는 다양한 웨이퍼 크기 (예 : 200mm, 300mm) 및 특정 에칭 시스템 요구 사항에 맞게 조정할 수 있습니다. 웨이퍼 포지셔닝, 가스 흐름 제어 및 공정 효율성을 최적화하기 위해 맞춤형 슬롯 설계 및 홀 패턴을 사용할 수 있습니다.

응용 프로그램 및 혜택

에칭 웨이퍼 캐리어는 주로 플라즈마 에칭 (PE), 반응성 이온 에칭 (RIE) 및 깊은 반응성 이온 에칭 (DRIE)을 포함한 건식 에칭 공정을위한 반도체 제조에 주로 사용됩니다. 통합 회로 (ICS), MEMS 장치, 전력 전자 장치 및 복합 반도체 웨이퍼의 생산에 널리 채택됩니다. 강력한 SIC 코팅은 재료 분해를 방지하여 일관된 에칭 결과를 보장합니다. 흑연과 SIC의 조합은 장기 내구성을 제공하여 유지 보수 및 교체 비용을 줄입니다. 매끄럽고 밀도가 높은 SIC 표면은 입자 생성을 최소화하여 높은 웨이퍼 수율과 우수한 장치 성능을 보장합니다. 가혹한 에칭 환경에 대한 탁월한 저항은 빈번한 교체의 필요성을 줄여 제조 효율을 향상시킵니다.