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플라즈마 에칭 챔버용 고온 SiC 코팅

플라즈마 에칭 챔버용 고온 SiC 코팅

에피택시 및 MOCVD와 같은 웨이퍼 핸들링 공정의 경우 Semicorex의 플라즈마 식각 챔버용 고온 SiC 코팅이 최고의 선택입니다. 당사 캐리어는 당사의 미세 SiC 크리스탈 코팅 덕분에 우수한 내열성, 균일한 열 균일성 및 내구성 있는 내화학성을 제공합니다.

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제품 설명

Semicorex는 고품질 웨이퍼 처리 장비의 중요성을 잘 알고 있습니다. 그렇기 때문에 플라스마 에칭 챔버용 고온 SiC 코팅이 고온 및 열악한 화학 세정 환경을 위해 특별히 설계되었습니다. 당사의 캐리어는 균일한 열 프로필, 층류 가스 흐름 패턴을 제공하고 오염 또는 불순물 확산을 방지합니다.
플라즈마 식각 챔버용 고온 SiC 코팅에 대해 자세히 알아보려면 지금 당사에 문의하십시오.


플라즈마 에칭 챔버용 고온 SiC 코팅의 매개변수

CVD-SIC 코팅의 주요 사양

SiC-CVD 속성

결정 구조

FCC β 단계

밀도

g/cm ³

3.21

경도

비커스 경도

2500

입자 크기

μm

2~10

화학적 순도

%

99.99995

열용량

J·kg-1·K-1

640

승화 온도

2700

쇠약한 힘

MPa(RT 4점)

415

영률

GPA (4pt 굽힘, 1300â)

430

열팽창(C.T.E)

10-6K-1

4.5

열 전도성

(W/mK)

300


Plasma Etch Chamber용 고온 SiC 코팅의 특징

- 박리를 피하고 모든 표면에 코팅을 하십시오.

고온 내산화성: 최대 1600°C의 고온에서 안정적

고순도: 고온 염소화 조건에서 CVD 화학 기상 증착에 의해 만들어집니다.

내식성: 높은 경도, 조밀한 표면 및 미세 입자.

내식성: 산, 알칼리, 염 및 유기 시약.

- 최고의 층류 가스 흐름 패턴 달성

- 열 프로파일의 균일성 보장

- 오염이나 불순물 확산 방지





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