수평형 SiC 웨이퍼 보트

Semicorex 수평형 SiC 웨이퍼 보트의 정의적인 특징은 꼼꼼하게 설계된 슬롯형 아키텍처이며, 특히 다양한 고온 공정 전반에 걸쳐 웨이퍼를 제자리에 안전하게 고정하도록 맞춤 제작되었습니다. 이 정확한 웨이퍼 제약 조건은 몇 가지 중요한 기능을 제공합니다.

웨이퍼 이동 제거:원치 않는 미끄러짐이나 이동을 방지함으로써 수평형 SiC 웨이퍼 보트는 공정 가스 및 온도 프로필에 지속적으로 노출되도록 보장하여 매우 균일한 웨이퍼 처리에 기여하고 결함 위험을 최소화합니다.

향상된 공정 균일성:일관된 웨이퍼 위치 지정은 층 두께, 도핑 농도 및 표면 형태와 같은 중요한 매개변수의 우수한 균일성을 직접적으로 나타냅니다. 이러한 정밀도는 화학 기상 증착(CVD) 및 확산과 같은 응용 분야에서 특히 중요합니다. 이러한 응용 분야에서는 약간의 변화라도 장치 성능에 큰 영향을 미칠 수 있습니다.

웨이퍼 손상 감소:수평형 SiC 웨이퍼 보트를 안전하게 고정하면 취급 및 운송 중 웨이퍼 치핑, 파손 또는 긁힘 가능성이 최소화됩니다. 이는 높은 수율을 유지하고 제조 비용을 절감하는 데 필수적입니다.

정밀 설계 외에도 수평형 SiC 웨이퍼 보트는 반도체 및 광전지 제조에 이상적인 재료 특성의 강력한 조합을 제공합니다.

극한의 온도 저항: 수평형 SiC 웨이퍼 보트는 뛰어난 고온 강도와 안정성을 보여 결정 성장, 어닐링, 급속 열 처리(RTP) 등의 공정 중에 발생하는 극심한 열 조건을 변형이나 열화 없이 견딜 수 있습니다.

오염 제어를 위한 초고순도:고순도 SiC를 사용하면 가스 방출이나 미립자 생성을 최소화하여 민감한 웨이퍼 표면의 무결성을 보호하고 장치 성능을 저하시킬 수 있는 오염을 방지합니다.

탁월한 화학적 안정성:SiC의 고유한 비활성으로 인해 수평형 SiC 웨이퍼 보트는 반도체 및 광전지 제조에 일반적으로 사용되는 부식성 가스 및 화학 물질의 공격에 대한 저항력이 매우 높습니다. 이러한 강력한 화학적 안정성은 긴 작동 수명을 보장하고 공정 실행 간 교차 오염 위험을 최소화합니다.

수평형 SiC 웨이퍼 보트의 다양성과 성능 이점으로 인해 다양한 중요한 반도체 및 광전지 제조 공정에서 널리 채택되었습니다.

에피택셜 성장:정밀한 웨이퍼 포지셔닝과 온도 균일성은 고급 반도체 장치에서 고품질 에피택셜 레이어를 달성하는 데 중요하므로 수평형 SiC 웨이퍼 보트는 이 프로세스에 필수적인 도구입니다.

확산 및 이온 주입:정확한 도핑 제어는 반도체 소자의 전기적 특성을 정의하는 데 가장 중요합니다. 수평형 SiC 웨이퍼 보트는 이러한 공정 중에 정확한 웨이퍼 위치 지정을 보장하여 균일성과 장치 성능을 향상시킵니다.

태양전지 제조:수평형 SiC 웨이퍼 보트의 고온 기능과 내화학성은 광전지에 사용되는 실리콘 웨이퍼 처리에 이상적이며 태양 에너지 시스템의 효율성과 수명을 높이는 데 기여합니다.