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ICP 플라즈마 에칭 시스템

ICP 플라즈마 에칭 시스템

Semicorex의 ICP 플라즈마 식각 시스템용 SiC 코팅 캐리어는 에피택시 및 MOCVD와 같은 고온 웨이퍼 처리 공정을 위한 안정적이고 비용 효율적인 솔루션입니다. 당사의 캐리어는 우수한 내열성, 균일한 열 균일성 및 내구성 있는 내화학성을 제공하는 미세 SiC 크리스탈 코팅이 특징입니다.

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제품 설명

ICP Plasma Etching System용 Semicorex의 SiC Coated 캐리어로 최고 품질의 에피택시 및 MOCVD 공정을 달성하십시오. 당사의 제품은 이러한 공정을 위해 특별히 설계되어 우수한 내열성과 내부식성을 제공합니다. 당사의 미세 SiC 크리스탈 코팅은 깨끗하고 매끄러운 표면을 제공하여 웨이퍼를 최적으로 처리할 수 있습니다.
ICP 플라즈마 에칭 시스템용 SiC 코팅 캐리어에 대해 자세히 알아보려면 지금 바로 문의하십시오.


ICP 플라즈마 에칭 시스템용 SiC 코팅 캐리어의 매개변수

CVD-SIC 코팅의 주요 사양

SiC-CVD 속성

결정 구조

FCC β 단계

밀도

g/cm ³

3.21

경도

비커스 경도

2500

입자 크기

μm

2~10

화학적 순도

%

99.99995

열용량

J·kg-1·K-1

640

승화 온도

2700

쇠약한 힘

MPa(RT 4점)

415

영률

GPA (4pt 굽힘, 1300â)

430

열팽창(C.T.E)

10-6K-1

4.5

열 전도성

(W/mK)

300


ICP Plasma Etching System용 SiC Coated 캐리어의 특징

- 박리를 피하고 모든 표면에 코팅을 하십시오.

고온 내산화성: 최대 1600°C의 고온에서 안정적

고순도: 고온 염소화 조건에서 CVD 화학 기상 증착에 의해 만들어집니다.

내식성: 높은 경도, 조밀한 표면 및 미세 입자.

내식성: 산, 알칼리, 염 및 유기 시약.

- 최고의 층류 가스 흐름 패턴 달성

- 열 프로파일의 균일성 보장

- 오염이나 불순물 확산 방지





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