N 형 SIC 기판

Semicorex N- 타입sic 기판고온, 고주파, 고출력 및 고효율 전자 장치의 엄격한 요구 사항을 충족하도록 설계된 3 세대 와이드 밴드 갭 반도체 재료를 기반으로 개발 된 고급 웨이퍼 제품입니다. 고급 결정 성장 기술 및 정밀 처리 기술을 통해 N- 타입 SIC 기판은 우수한 전기 특성, 열 안정성 및 표면 품질을 가지며, 전원 장치 제조 (예 : MOSFET, DIODES), RF 장치 및 광전자 장치, 광고 전력 혁신, 전기 자동차 및 산업 전력 공급 장치의 혁신을위한 이상적인 기본 재료를 제공합니다.

실리콘 기반 반도체와 비교하여, 실리콘 카바이드 및 질화 갈륨으로 대표되는 와이드 밴드 갭 반도체는 재료 끝에서 장치 말단까지의 뛰어난 성능 이점을 갖는다. 그들은 고주파, 고효율, 고전력, 고전압 저항 및 고온 저항의 특성을 가지고 있습니다. 그들은 미래에 반도체 산업의 발전을위한 중요한 방향입니다. 그 중에서도 N 형 SIC 기판은 고유 한 물리적 및 화학적 특성을 나타냅니다. 높은 밴드 갭 폭, 높은 파괴 전기장 강도, 높은 전자 포화 드리프트 속도 및 실리콘 탄화물의 높은 열전도율은 전력 전자 장치와 같은 응용 분야에서 중요한 역할을합니다. 이러한 특성은 탄화물이 EV 및 태양 광 발전과 같은 고성능 적용 분야, 특히 안정성과 내구성 측면에서 상당한 이점을 제공합니다. N 형 SIC 기판은 전력 반도체 장치, 무선 주파수 반도체 장치 및 새로운 응용 분야에서 광범위한 시장 적용 전위를 갖는다. SIC 기판은 전력 반도체 장치, 무선 주파수 반도체 장치 및 광 도파관, TF-SAW 필터 및 열 소산 CMPonent와 같은 다운 스트림 제품에 널리 사용될 수 있습니다. 주요 애플리케이션 산업에는 EV, 태양 광 및 에너지 저장 시스템, 전력망, 철도 운송, 통신, AI 안경, 스마트 폰, 반도체 레이저 등이 포함됩니다.

전력 반도체 장치는 전력 전자 제품의 스위치 또는 정류기로 사용되는 반도체 장치입니다. 파워 반도체 장치는 주로 파워 다이오드, 파워 트라이 오드, 갑옷, MOSFET, IGBT 등을 포함합니다.

크루즈 레인지, 충전 속도 및 운전 경험은 EV의 중요한 요소입니다. 실리콘 기반 IGBT와 같은 기존의 실리콘 기반 전력 반도체 장치와 비교하여, N- 타입 SIC 기판 전력 반도체 장치는 낮은 방출, 높은 스위치 주파수, 높은 내열성 및 높은 열전도율과 같은 상당한 이점을 갖는다. 이러한 장점은 전력 변환 링크에서 에너지 손실을 효과적으로 줄일 수 있습니다. 인덕터 및 커패시터와 같은 수동 구성 요소의 양을 줄이고 전력 모듈의 무게와 비용을 줄입니다. 열 소산 요구 사항을 줄이고 열 관리 시스템을 단순화하며 모터 제어의 동적 응답을 향상시킵니다. 따라서 크루징 범위, 충전 속도 및 EV의 운전 경험을 향상시킵니다. 실리콘 카바이드 전력 반도체 장치는 모터 드라이브, 온보드 충전기 (OBC), DC/DC 컨버터, 에어컨 압축기, 고전압 PTC 히터 및 사전 충전 릴레이를 포함한 다양한 EV 구성 요소에 적용될 수 있습니다. 현재, 실리콘 카바이드 전력 장치는 주로 모터 드라이브, OBC 및 DC/DC 컨버터에 사용되며 기존의 실리콘 기반 IGBT 전력 모듈을 점차적으로 교체합니다. 모터 드라이브의 관점에서 실리콘 카바이드 전력 모듈은 기존의 실리콘 기반 IGBT를 대체하여 70%에서 90%까지의 에너지 손실을 감소시킬 수 있으며, 고온 환경을 지원할 수 있습니다. OBC 측면에서 전원 모듈은 외부 AC 전원을 DC 전원으로 변환하여 배터리를 충전 할 수 있습니다. 실리콘 카바이드 전력 모듈은 손실 충전을 40%줄이고, 충전 속도가 빠르며, 사용자 경험을 향상시킬 수 있습니다. DC/DC 변환기 측면에서,이 기능은 고전압 배터리의 DC 전력을 온보드 장치에서 사용하기 위해 저전압 DC 전력으로 변환하는 것입니다. 실리콘 카바이드 전력 모듈은 열을 줄이고 에너지 손실을 80%로 90% 줄임으로써 효율성을 향상시켜 차량 범위에 미치는 영향을 최소화합니다.