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GaN과 SiC: 공존인가 대체인가?

GaN과 SiC: 공존인가 대체인가?

더 높은 전력 밀도와 효율성에 대한 추진은 데이터 센터, 재생 에너지, 가전제품, 전기 자동차, 자율 주행 기술을 비롯한 여러 산업 전반에 걸쳐 혁신의 주요 동인이 되었습니다. WBG(와이드 밴드갭) 소재 영역에서 질화갈륨(GaN)과 탄화규소(SiC)는 현재 두 가지 핵심 플랫폼으로, 전력 반도체 혁신을 이끄는 중추적인 도구로 간주됩니다. 이러한 재료는 끊임없이 증가하는 전력 수요를 해결하기 위해 전력 전자 산업을 근본적으로 변화시키고 있습니다.

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열장이란 무엇입니까?

열장이란 무엇입니까?

단결정 성장 분야에서는 결정 성장로 내의 온도 분포가 중요한 역할을 합니다. 일반적으로 열장이라고 불리는 이러한 온도 분포는 성장되는 결정의 품질과 특성에 영향을 미치는 중요한 요소입니다. 열장은 정적 및 동적의 두 가지 유형으로 분류할 수 있습니다.

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등방성 흑연 생산 기술

등방성 흑연 생산 기술

등방성 프레싱 기술은 등방성 흑연 제조에서 최종 제품의 성능을 크게 결정하는 중요한 공정입니다. 따라서 등방성 흑연 생산에 대한 포괄적인 연구와 최적화는 업계에서 여전히 중요한 초점으로 남아 있습니다.

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탄소 기반 소재 표면의 TaC 코팅 연구 진행

탄소 기반 소재 표면의 TaC 코팅 연구 진행

흑연, 탄소섬유, 탄소/탄소(C/C) 복합재 등의 탄소 기반 소재는 높은 비강도, 높은 비계수, 우수한 열적 특성으로 알려져 있어 광범위한 고온 응용 분야에 적합합니다. . 이러한 재료는 항공우주, 화학공학, 에너지 저장 분야에서 널리 활용됩니다. 그러나 고온 환경에서 산화 및 부식에 대한 민감성과 열악한 긁힘 저항성으로 인해 추가 적용이 제한됩니다.

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질화갈륨(GaN) 기판의 용도는 무엇입니까?

질화갈륨(GaN) 기판의 용도는 무엇입니까?

질화갈륨(GaN)은 탁월한 전자적 및 광학적 특성으로 잘 알려진 반도체 기술의 중요한 소재입니다. GaN은 광대역 밴드갭 반도체로서 밴드갭 에너지가 약 3.4eV이므로 고전력 및 고주파수 애플리케이션에 이상적입니다.

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실리콘 카바이드 결정 성장로의 기술적 과제

실리콘 카바이드 결정 성장로의 기술적 과제

실리콘 카바이드(SiC) 결정 성장로는 SiC 웨이퍼 생산의 초석입니다. 기존 실리콘 결정 성장로와 유사점을 공유하는 SiC 용해로는 재료의 극단적인 성장 조건과 복잡한 결함 형성 메커니즘으로 인해 고유한 문제에 직면해 있습니다. 이러한 과제는 크게 결정 성장과 에피택셜 성장이라는 두 가지 영역으로 분류될 수 있습니다.

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