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인피니언, 세계 최초의 300mm 전력 GaN 웨이퍼 공개

최근 인피니언 테크놀로지스는 세계 최초의 300mm 전력 질화갈륨(GaN) 웨이퍼 기술 개발에 성공했다고 발표했습니다.

단결정 실리콘 제조에 사용되는 세 가지 주요 방법은 Czochralski(CZ) 방법, Kyropoulos 방법 및 FZ(Float Zone) 방법입니다.

산화 공정은 웨이퍼에 다양한 화학 물질 사이의 장벽 역할을 하는 산화물 층으로 알려진 보호 층을 생성하여 이러한 문제를 방지하는 데 중요한 역할을 합니다.

질화규소(Si3N4)는 첨단 고온 구조용 세라믹 개발의 핵심 소재입니다.

에칭 공정: 실리콘 대 실리콘 카바이드

반도체 제조에서는 식각 공정의 정밀도와 안정성이 무엇보다 중요합니다. 고품질 에칭을 달성하는 데 있어 중요한 요소 중 하나는 공정 중에 웨이퍼가 트레이에서 완벽하게 편평한지 확인하는 것입니다.

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