웨이퍼 세정(Wafer Cleaning)이란 산화, 포토리소그래피, 에피택시, 확산, 와이어 증발 등의 반도체 공정 이전에 물리적 또는 화학적 방법을 이용하여 웨이퍼 표면의 미립자 오염물질, 유기 오염물질, 금속 오염물질, 자연 산화막 등을 제거하는 공정을 말한다. 반도체 제조에 있어서 반도체 소자의 수율은 반도체 웨이퍼 표면의 청결도에 크게 좌우됩니다. 따라서 반도체 제조에 요구되는 청정도를 달성하기 위해서는 엄격한 웨이퍼 세정 공정이 필수적입니다.
탄화 규소 세라믹은 구조용 세라믹에서 가장 널리 사용되는 재료 중 하나입니다. 상대적으로 낮은 열 팽창, 높은 비강도, 높은 열 전도성 및 경도, 내마모성 및 내식성, 그리고 가장 중요하게는 1650°C의 높은 온도에서도 우수한 성능을 유지하는 능력으로 인해 탄화 규소 세라믹은 다양한 분야에서 널리 사용됩니다.
반도체 소재는 상온에서 도체와 부도체 사이에 전기 전도성을 갖는 소재로 집적회로, 통신, 에너지, 광전자공학 등 분야에서 널리 사용된다. 기술이 발전하면서 반도체 소재는 1세대에서 4세대로 진화해 왔다.
포커스 링은 반도체 식각 공정의 균일성과 안정성을 보장하는 필수 구성 요소입니다. 전기장과 열장의 정밀한 제어를 통해 포커스 링은 플라즈마를 웨이퍼 표면에 집중시켜 웨이퍼의 모든 위치에서 일관된 에칭 결과를 보장합니다.
탄화규소는 화학적 안정성이 우수하고 부식성이 높은 다양한 산성 및 알칼리성 매체를 견딜 수 있어 부식성 매체의 기계적 밀봉에 적합합니다. 부식성 마모는 마찰 쌍 재료의 주요 파손 형태입니다. 열간 압착 소결 탄화규소는 산화 분위기에서 표면에 보호 이산화규소 막을 형성하여 900°C에서도 우수한 화학적 안정성과 강한 내식성을 유지합니다.
입자 결함은 반도체 웨이퍼 내부 또는 표면에 있는 작은 미립자 함유물을 의미합니다. 반도체 장치의 구조적 무결성을 손상시키고 단락 및 개방 회로와 같은 전기적 결함을 일으킬 수 있습니다. 파티클 결함으로 인해 발생하는 이러한 문제는 반도체 소자의 장기적인 신뢰성에 심각한 영향을 미칠 수 있으므로, 반도체 제조에서는 파티클 결함을 엄격하게 관리해야 합니다.