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업계 뉴스

단결정 실리콘 제조

단결정 실리콘 제조에 사용되는 세 가지 주요 방법은 Czochralski(CZ) 방법, Kyropoulos 방법 및 FZ(Float Zone) 방법입니다.

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반도체 공정의 산화

산화 공정은 웨이퍼에 다양한 화학 물질 사이의 장벽 역할을 하는 산화물 층으로 알려진 보호 층을 생성하여 이러한 문제를 방지하는 데 중요한 역할을 합니다.

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질화규소란?

질화규소(Si3N4)는 첨단 고온 구조용 세라믹 개발의 핵심 소재입니다.

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정전척(ESC)이란?

반도체 제조에서는 식각 공정의 정밀도와 안정성이 무엇보다 중요합니다. 고품질 에칭을 달성하는 데 있어 중요한 요소 중 하나는 공정 중에 웨이퍼가 트레이에서 완벽하게 편평한지 확인하는 것입니다.

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더 높은 전력 밀도와 효율성에 대한 추진은 데이터 센터, 재생 에너지, 가전제품, 전기 자동차, 자율 주행 기술을 비롯한 여러 산업 전반에 걸쳐 혁신의 주요 동인이 되었습니다. WBG(와이드 밴드갭) 소재 영역에서 질화갈륨(GaN)과 탄화규소(SiC)는 현재 두 가지 핵심 플랫폼으로, 전력 반도체 혁신을 이끄는 중추적인 도구로 간주됩니다. 이러한 재료는 끊임없이 증가하는 전력 수요를 해결하기 위해 전력 전자 산업을 근본적으로 변화시키고 있습니다.

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단결정 실리콘 제조

반도체 공정의 산화

질화규소란?

실리콘과 실리콘 카바이드 웨이퍼의 에칭 차이점 이해

정전척(ESC)이란?

GaN과 SiC: 공존인가 대체인가?