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업계 뉴스

SiC 반도체 흑연 정제 기술

흑연은 뛰어난 열적, 전기적 특성으로 알려진 탄화규소(SiC) 반도체 생산에 필수적입니다. 이로 인해 SiC는 고전력, 고온 및 고주파 애플리케이션에 이상적입니다. SiC 반도체 제조에 있어 흑연은 우수한 열 전도성, 화학적 안정성, 열충격에 대한 저항성으로 인해 도가니, 히터 및 기타 고온 처리 부품에 널리 사용됩니다.

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GaN 결정 성장 방법

대형 GaN 단결정 기판을 생산할 때 HVPE는 현재 상용화를 위한 최선의 선택입니다. 그러나 성장된 GaN의 백 캐리어 농도는 정밀하게 제어할 수 없습니다.

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반도체 기술은 현대 문명의 중추 역할을 해 왔으며, 우리가 살고 일하고 세계와 상호 작용하는 방식을 근본적으로 변화시켰습니다. 이는 정보기술, 에너지, 통신, 헬스케어 등 다양한 분야에서 유례없는 발전을 가능하게 했습니다. 스마트폰과 컴퓨터에 전원을 공급하는 마이크로프로세서부터 의료 기기의 센서, 재생 에너지 시스템의 전력 전자 장치에 이르기까지 반도체는 지난 세기의 거의 모든 기술 혁신의 핵심입니다.

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SiC 세라믹: 반도체 제조의 고정밀 부품에 없어서는 안 될 소재

현대 기술 발전의 초석인 반도체 제조는 더 작고, 더 빠르며, 더 효율적인 집적 회로를 끊임없이 추구하고 있습니다. 이러한 끊임없는 추구로 인해 각 단계는 고성능, 고품질, 고정밀 장비에 크게 의존하는 점점 더 정확하고 정교한 제조 프로세스의 필요성이 높아졌습니다. 고성능 구조용 세라믹 소재인 탄화규소(SiC)는 이러한 까다로운 환경에서 중요한 역할을 합니다.

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흑연화 정도란 무엇입니까?

흑연화 정도는 탄소 원자가 촘촘하게 채워진 육각형 흑연 결정 구조를 형성하는 데 얼마나 가까운지 평가하는 데 사용되는 필수 척도입니다.

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박막 성장 과정

일반적인 박막은 크게 반도체박막, 유전체박막, 금속/금속화합물박막의 3가지로 분류된다.

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