모든 국가는 칩의 중요성을 인식하고 또 다른 칩 부족 문제를 방지하기 위해 자체 칩 제조 공급망 생태계 구축에 박차를 가하고 있습니다. 그러나 차세대 칩 설계자가 없는 고급 파운드리는 '칩 없는 팹'과 같습니다.
새로 발표된 연례 보고서에서 TSMC 회장 Deyin Liu와 CEO Chieh-Jia Wei는 2nm 공정과 관련된 진행 상황을 공개했습니다.
실리콘 기판 위에 GaAs 에피택셜층이 필요한 디바이스, 일반적으로 LED 발광 디바이스를 제조하기 위해 일부 웨이퍼 기판 위에 추가 에피택셜층을 구축해야 한다는 것을 알고 있습니다. SiC 에피택셜 층은 고전압, 고전류 및 기타 전력 응용 분야를 위한 SBD, MOSFET 등과 같은 장치를 구축하기 위해 전도성 SiC 기판 위에 성장합니다. GaN 에피택셜 레이어는 HEMT 및 기타 RF 애플리케이션 구축을 위해 반절연 SiC 기판 위에 구축됩니다.
글로벌 전자 설계 및 제조 공급망을 대표하는 산업 협회인 SEMI에 따르면 반도체 제조 장비의 전 세계 매출은 2021년 1,026억 달러에서 지난해 1,076억 달러로 사상 최고치를 기록하며 5% 증가했습니다.