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회사 뉴스

광섬유 산업에서 탄화규소 세라믹의 장점

탄화 규소 세라믹은 고온 안정성, 낮은 열팽창 계수, 낮은 손실 및 손상 임계값, 기계적 강도, 내식성, 우수한 열 전도성 및 낮은 유전 상수를 포함하여 광섬유 산업에서 수많은 이점을 제공합니다. 이러한 특성으로 인해 SiC 세라믹은 광섬유 센서, 레이저 및 고출력 광섬유 응용 분야에 이상적인 재료입니다. 광섬유 분야의 수요가 증가함에 따라 탄화규소 세라믹에 대한 응용 전망은 점점 더 두드러질 것입니다.

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탄화규소의 간략한 역사와 탄화규소 코팅의 응용

탄화규소(SiC)의 역사는 에드워드 굿리치 애치슨(Edward Goodrich Acheson)이 인공 다이아몬드를 합성하려고 시도하던 중 우연히 발견한 1891년으로 거슬러 올라갑니다. 애치슨은 점토(알루미노규산염)와 분말 코크스(탄소)의 혼합물을 전기로에서 가열했습니다. 예상했던 다이아몬드 대신 탄소에 달라붙은 밝은 녹색 결정을 얻었습니다. 이 결정은 다이아몬드 다음으로 경도가 높기 때문에 카보런덤이라고 명명되었습니다. 1904년, 프랑스계 유대인 화학자 앙리 무아상(Henri Moissan)은 미국 애리조나주 디아블로 캐년에서 ......

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실리콘카바이드(SiC) 결정성장로

결정 성장은 탄화 규소 기판 생산의 핵심 링크이며 핵심 장비는 결정 성장로입니다. 전통적인 결정질 실리콘 등급 결정 성장로와 유사하게, 노 구조는 그다지 복잡하지 않으며 주로 노 본체, 가열 시스템, 코일 전달 메커니즘, 진공 획득 및 측정 시스템, 가스 경로 시스템, 냉각 시스템으로 구성됩니다. , 제어 시스템 등이 있으며, 그중 열장 및 공정 조건에 따라 실리콘 카바이드 결정의 품질, 크기, 전도성 특성 및 기타 주요 지표가 결정됩니다.

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TaC 코팅 흑연 부품의 응용 및 개발 과제

질화갈륨(GaN), 탄화규소(SiC) 등 3세대 와이드 밴드갭 반도체 소재는 탁월한 광전자 변환 및 마이크로파 신호 전송 기능으로 유명합니다. 이 소재는 고주파수, 고온, 고전력 및 내방사선 전자 장치의 까다로운 요구 사항을 충족합니다. 따라서 차세대 이동 통신, 신에너지 차량, 스마트 그리드 및 LED 기술 분야에서 광범위한 응용 가능성을 가지고 있습니다. 3세대 반도체 산업의 종합적인 발전을 위해서는 핵심 핵심 기술의 돌파구, 소자 설계 및 혁신의 지속적인 발전, 수입 의존도 해소가 시급히 필요합니다.

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SiC 보트란 무엇이며 다양한 제조 공정은 무엇입니까?

탄화규소 보트의 약자인 SiC 보트는 고온 처리 중에 웨이퍼를 운반하기 위해 용광로 튜브에 사용되는 내열성 액세서리입니다. 고온에 대한 저항성, 화학적 부식, 탁월한 열 안정성 등 탄화규소의 뛰어난 특성으로 인해 SiC 보트는 확산, 산화, 화학 기상 증착(CVD), 어닐링 등 다양한 열처리 공정에 광범위하게 활용됩니다.

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SiC 결정 성장을 위한 다공성 흑연

현재 대부분의 SiC 기판 제조업체는 다공성 흑연 실린더를 사용하는 새로운 도가니 열장 공정 설계를 사용합니다. 즉, 흑연 도가니 벽과 다공성 흑연 실린더 사이에 고순도 SiC 입자 원료를 배치하는 동시에 전체 도가니를 깊게 하고 도가니 직경을 늘리는 것입니다.

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