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회사 뉴스

SiC 결정 성장을 위한 다공성 흑연

현재 대부분의 SiC 기판 제조업체는 다공성 흑연 실린더를 사용하는 새로운 도가니 열장 공정 설계를 사용합니다. 즉, 흑연 도가니 벽과 다공성 흑연 실린더 사이에 고순도 SiC 입자 원료를 배치하는 동시에 전체 도가니를 깊게 하고 도가니 직경을 늘리는 것입니다.

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화학 기상 증착(CVD)은 다양한 부분 압력의 여러 기체 반응물이 특정 온도 및 압력 조건에서 화학 반응을 겪는 공정 기술을 의미합니다. 생성된 고체 물질은 기판 물질의 표면에 증착되어 원하는 박막을 얻는다. 전통적인 집적 회로 제조 공정에서 얻어지는 박막 재료는 일반적으로 산화물, 질화물, 탄화물과 같은 화합물이거나 다결정 실리콘, 비정질 실리콘 등과 같은 재료입니다.

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반도체 제조의 실리콘 에피택셜 층 및 기판

현대 전자공학, 광전자공학, 마이크로전자공학, 정보기술 분야에서는 반도체 기판과 에피택시 기술이 반드시 필요합니다. 이는 고성능, 고신뢰성 반도체 장치 제조를 위한 견고한 기반을 제공합니다. 기술이 계속 발전함에 따라 반도체 기판과 에피택시 기술도 발전하여 반도체 산업의 미래에 새로운 혁신과 발전을 가져올 것입니다.

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SiC 결정 성장에 대한 다공성 흑연 재료의 중요성

Semicorex의 SiC 결정 성장로 구성 요소인 다공성 흑연 배럴은 세 가지 주요 이점을 제공하며 국내 SiC 기판의 경쟁력을 효과적으로 강화할 수 있습니다.

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최초의 6인치 산화갈륨 기판 산업화 기업

최근 당사에서는 캐스팅 공법을 이용한 6인치 산화갈륨 단결정 개발에 성공하여 국내 업계 최초로 6인치 산화갈륨 단결정 기판 준비 기술을 보유했다고 발표했습니다.

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단열재

단결정 실리콘 성장 과정은 열 환경의 품질이 결정 품질과 성장 효율에 큰 영향을 미치는 열장 내에서 주로 발생합니다. 열장의 설계는 용광로 챔버 내에서 온도 구배와 가스 흐름 역학을 형성하는 데 중추적인 역할을 합니다. 또한 열장을 구성하는 데 사용되는 재료는 수명과 성능에 직접적인 영향을 미칩니다.

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SiC 결정 성장을 위한 다공성 흑연

CVD 작업의 플라즈마 공정

반도체 제조의 실리콘 에피택셜 층 및 기판

SiC 결정 성장에 대한 다공성 흑연 재료의 중요성

최초의 6인치 산화갈륨 기판 산업화 기업

단열재