SiC 코팅 ICP 부품

SiC 코팅 ICP 부품

Semicorex의 SiC 코팅 ICP 부품은 에피택시 및 MOCVD와 같은 고온 웨이퍼 처리 공정을 위해 특별히 설계되었습니다. 미세한 SiC 결정 코팅을 통해 당사의 캐리어는 우수한 내열성, 균일한 열 균일성 및 내구성 있는 내화학성을 제공합니다.

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제품 설명

Semicorex의 SiC-Coated ICP 부품은 고온 및 내화학성이 요구되는 웨이퍼 핸들링 공정을 위한 최고의 선택입니다. 당사 캐리어는 균일한 열 프로필, 층류 가스 흐름 패턴을 제공하고 미세 SiC 결정 덕분에 오염 또는 불순물 확산을 방지합니다. 미세한 SiC 결정 코팅을 통해 당사 캐리어는 우수한 내열성, 균일한 열 균일성 및 내구성 있는 내화학성을 제공합니다.
Semicorex는 고객에게 고품질의 비용 효율적인 제품을 제공하는 데 중점을 둡니다. 당사의 SiC 코팅 ICP 구성 요소는 가격 이점이 있으며 많은 유럽 및 미국 시장에 수출됩니다. 우리는 일관된 품질의 제품과 탁월한 고객 서비스를 제공하는 장기적인 파트너가 되는 것을 목표로 합니다.
당사의 SiC 코팅 ICP 구성 요소에 대해 자세히 알아보려면 지금 당사에 문의하십시오.


SiC 코팅된 ICP 부품의 매개변수

CVD-SIC 코팅의 주요 사양

SiC-CVD 속성

결정 구조

FCC β 단계

밀도

g/cm ³

3.21

경도

비커스 경도

2500

입자 크기

μm

2~10

화학적 순도

%

99.99995

열용량

J·kg-1·K-1

640

승화 온도

2700

쇠약한 힘

MPa(RT 4점)

415

영률

GPA (4pt 굽힘, 1300â)

430

열팽창(C.T.E)

10-6K-1

4.5

열 전도성

(W/mK)

300


SiC 코팅 ICP 부품의 특징

- 박리를 피하고 모든 표면에 코팅을 하십시오.

고온 내산화성: 최대 1600°C의 고온에서 안정적

고순도: 고온 염소화 조건에서 CVD 화학 기상 증착에 의해 만들어집니다.

내식성: 높은 경도, 조밀한 표면 및 미세 입자.

내식성: 산, 알칼리, 염 및 유기 시약.

- 최고의 층류 가스 흐름 패턴 달성

- 열 프로파일의 균일성 보장

- 오염이나 불순물 확산 방지





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