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SiC 코팅 ICP 구성 요소

SiC 코팅 ICP 구성 요소

Semicorex의 SiC 코팅 ICP 부품은 에피택시 및 MOCVD와 같은 고온 웨이퍼 처리 공정을 위해 특별히 설계되었습니다. 미세한 SiC 크리스탈 코팅을 갖춘 당사의 캐리어는 뛰어난 내열성, 균일한 열 균일성 및 내구성 있는 내화학성을 제공합니다.

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제품 설명

Semicorex의 SiC 코팅 ICP 부품은 고온 및 내화학성이 요구되는 웨이퍼 처리 공정을 위한 최고의 선택입니다. 당사의 캐리어는 균일한 열 프로필, 층류 가스 흐름 패턴을 제공하고 미세한 SiC 결정 덕분에 오염이나 불순물 확산을 방지합니다. 미세한 SiC 크리스탈 코팅을 갖춘 당사의 캐리어는 뛰어난 내열성, 균일한 열 균일성 및 내구성 있는 내화학성을 제공합니다.
Semicorex에서는 고객에게 고품질의 비용 효율적인 제품을 제공하는 데 중점을 두고 있습니다. 당사의 SiC 코팅 ICP 부품은 가격 우위를 갖고 있으며 많은 유럽 및 미국 시장으로 수출됩니다. 우리는 일관된 품질의 제품과 뛰어난 고객 서비스를 제공하는 장기적인 파트너가 되는 것을 목표로 합니다.
SiC 코팅 ICP 구성요소에 대해 자세히 알아보려면 지금 문의하세요.


SiC 코팅 ICP 부품의 매개변수

CVD-SIC 코팅 주요 사양

SiC-CVD 속성

결정 구조

FCC β상

밀도

g/cm ³

3.21

경도

비커스 경도

2500

입자 크기

μm

2~10

화학적 순도

%

99.99995

열용량

Jkg-1 K-1

640

승화 온도

2700

굽힘 강도

MPa(RT 4점)

415

영률

Gpa (4pt 굴곡, 1300℃)

430

열팽창(C.T.E)

10-6K-1

4.5

열전도율

(W/mK)

300


SiC 코팅 ICP 부품의 특징

- 벗겨짐을 방지하고 모든 표면에 코팅을 보장합니다.

고온 내산화성: 최대 1600°C의 고온에서 안정적

고순도: 고온 염소화 조건에서 CVD 화학 기상 증착으로 만들어졌습니다.

내식성: 높은 경도, 조밀한 표면 및 미세한 입자.

내식성: 산, 알칼리, 염분 및 유기 시약.

- 최상의 층류 가스 흐름 패턴 달성

- 열 프로파일의 균일성 보장

- 오염이나 불순물 확산 방지





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