중국 SiC 기판 제조업체, 공급업체, 공장

반도체 재료의 얇은 조각을 웨이퍼라고 하며 매우 순수한 단결정 재료로 구성됩니다. 초크랄스키(Czochralski) 공정에서는 용융물에서 종자 결정을 끌어당겨 고순도 단결정 반도체의 원통형 잉곳을 만듭니다.

실리콘 카바이드(SiC)와 그 다형은 오랫동안 인류 문명의 일부였습니다. 이 단단하고 안정적인 화합물에 대한 기술적 관심은 1885년과 1892년에 Cowless와 Acheson에 의해 연삭 및 절단 목적으로 실현되어 대규모 제조로 이어졌습니다.

우수한 물리적 및 화학적 특성으로 인해 탄화규소(SiC)는 고온, 고전력, 고주파 및 광전자 장치, 핵융합로의 구조 부품, 가스 냉각용 클래딩 재료를 포함한 다양한 응용 분야에 대한 탁월한 후보입니다. 핵분열 원자로 및 Pu의 변환을 위한 불활성 매트릭스. 3C, 6H 및 4H와 같은 다양한 폴리 유형의 SiC가 널리 사용되었습니다. 이온 주입은 p형 및 n형 SiC 웨이퍼를 제조하기 위해 Si 기반 장치 생산을 위한 도펀트를 선택적으로 도입하는 중요한 기술입니다.

잉곳그런 다음 슬라이스하여 탄화규소 SiC 웨이퍼를 형성합니다.

실리콘 카바이드 재료 특성

Different types of SiC wafers

세 가지 유형이 있습니다:n형 SIC 웨이퍼, p형 SIC 웨이퍼그리고고순도 반절연 SiC 웨이퍼. 도핑이란 실리콘 결정에 불순물을 주입하는 이온 주입을 의미합니다. 이러한 도펀트는 결정의 원자가 이온 결합을 형성할 수 있게 하여 한때 고유한 결정을 외부의 결정으로 만듭니다. 이 과정에서는 두 가지 유형의 불순물이 발생합니다. N형과 P형이 있습니다. 그것이 되는 '유형'은 화학 반응을 일으키는 데 사용되는 재료에 따라 다릅니다. N형과 P형 SiC 웨이퍼의 차이점은 도핑 중 화학 반응을 일으키는 데 사용되는 주요 재료입니다. 사용되는 물질에 따라 외부 궤도에는 5개 또는 3개의 전자가 있어 하나는 음전하(N형)로, 다른 하나는 양전하(P형)로 됩니다.

N형 SiC 웨이퍼는 주로 신에너지 차량, 고전압 송전 및 변전소, 백색 가전, 고속 열차, 모터, 광전지 인버터, 펄스 전원 공급 장치 등에 사용됩니다. 장비 에너지 손실을 줄이고 성능을 향상시키는 장점이 있습니다. 장비 신뢰성, 장비 크기 감소 및 장비 성능 향상, 전력 전자 장치 제조에 있어 대체할 수 없는 이점을 가지고 있습니다.

고순도 반절연 SiC 웨이퍼는 주로 고전력 RF 장치의 기판으로 사용됩니다.

에피택시 - III-V 질화물 증착

SiC 기판 또는 사파이어 기판의 SiC, GaN, AlxGa1-xN 및 InyGa1-yN 에피택셜 층.