MOCVD용 실리콘 카바이드 코팅 흑연 서셉터

Semicorex는 MOCVD용 실리콘 카바이드 코팅 흑연 서셉터의 신뢰할 수 있는 공급업체이자 제조업체입니다. 당사의 제품은 웨이퍼 칩의 에피층을 성장시키는 반도체 산업의 요구 사항을 충족하도록 특별히 설계되었습니다. MOCVD에서 Center plate로 사용되는 제품으로 Gear 또는 Ring 형태의 디자인을 가지고 있습니다. 내열성 및 내식성이 높아 극한 환경에서 사용하기에 이상적입니다.

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제품 설명

당사의 MOCVD용 탄화규소 코팅 흑연 서셉터에는 경쟁 제품과 차별화되는 몇 가지 주요 기능이 있습니다. 모든 표면에 코팅이 되어 벗겨지지 않으며, 고온 내산화성이 있어 최대 1600°C의 고온에서도 안정성을 보장합니다. 고온의 염소화 조건에서 CVD 화학기상증착을 통해 고순도로 만들어진 제품입니다. 미세한 입자로 표면이 조밀하여 산, 알칼리, 염 및 유기 시약으로 인한 부식에 매우 강합니다.
당사의 MOCVD용 탄화규소 코팅 흑연 서셉터는 최상의 층류 가스 흐름 패턴을 달성하도록 설계되어 균일한 열 프로필을 보장합니다. 오염이나 불순물 확산을 방지하여 웨이퍼 칩에서 고품질의 에피택셜 성장을 보장합니다.

MOCVD용 탄화규소 코팅 흑연 서셉터의 매개변수

CVD-SIC 코팅의 주요 사양
SiC-CVD 속성
결정 구조	FCC β 단계
밀도	g/cm ³	3.21
경도	비커스 경도	2500
입자 크기	μm	2~10
화학적 순도	%	99.99995
열용량	J·kg-1·K-1	640
승화 온도	℃	2700
쇠약한 힘	MPa(RT 4점)	415
영률	GPA (4pt 굽힘, 1300â)	430
열팽창(C.T.E)	10-6K-1	4.5
열 전도성	(W/mK)	300

MOCVD용 탄화규소 코팅 흑연 서셉터의 특징

- 박리를 피하고 모든 표면에 코팅을 하십시오.
고온 내산화성: 최대 1600°C의 고온에서 안정적
고순도: 고온 염소화 조건에서 CVD 화학 기상 증착에 의해 만들어집니다.
내식성: 높은 경도, 조밀한 표면 및 미세 입자.
내식성: 산, 알칼리, 염 및 유기 시약.
- 최고의 층류 가스 흐름 패턴 달성
- 열 프로파일의 균일성 보장
- 오염이나 불순물 확산 방지