실리콘 온 절연체 웨이퍼

Silicon On Insulator 웨이퍼의 구조는 세 가지 주요 레이어로 구성됩니다. 최상층은 단결정 실리콘의 얇은 막으로, 일반적으로 두께가 수 나노미터에서 수 마이크로미터에 이릅니다. 이 얇은 실리콘 층은 트랜지스터와 기타 전자 부품이 만들어지는 활성 영역 역할을 합니다.

얇은 실리콘 층 아래에는 절연 재료 층이 있습니다. 이 절연층은 장벽 역할을 하여 얇은 실리콘층과 기판층 사이의 전하 흐름을 방지합니다.

맨 아래 층은 단결정 실리콘의 더 두꺼운 층인 기판입니다. 이는 웨이퍼에 기계적 지지를 제공하고 생성된 열을 방출하기 위한 방열판 역할도 합니다.

Silicon On Insulator 웨이퍼의 제조 공정에는 웨이퍼 본딩 및 레이어 전사 방법을 포함한 다양한 기술이 포함됩니다. 이러한 기술을 통해 절연층 위에 고품질의 얇은 실리콘층을 생성할 수 있습니다.

Silicon On Insulator 웨이퍼는 반도체 산업, 특히 마이크로프로세서, 메모리 장치, RF 회로 및 고속 통신 시스템 생산에서 점점 더 중요해지고 있습니다. 고유한 구조와 장점으로 인해 고급 전자 응용 분야에서 선호되는 선택이 되어 다양한 분야에서 더 빠르고 효율적인 장치에 기여합니다.