8 인치 에피 하단 링

Semicorex 8 인치 에피 바닥 고리는 반도체 에피 택시 장비에 사용되는 중요한 구조적 부분이며, 완전한 감수자 어셈블리의 하단 고리로 특별히 설계되었습니다. 하단 고리는 웨이퍼의 에피 택셜 성장 동안 웨이퍼 캐리어 시스템을지지하면서 메카니 마이카 안정성, 열 균일 성 및 고성능 반도체 웨이퍼를 제조하는 데 필요한 공정 무결성을 기여합니다. 바닥 고리는 표면 수준에서 코팅 된 고급 흑연으로부터 제조된다. 결과적으로, 이는 극한 열 및 화학 조건 하에서 고급 에피 택셜 반응기에 대한 매우 신뢰할 수있는 대안을 나타냅니다.

흑연은 가벼운 무게, 우수한 열 전도체 및 고온에서 접선 및 수직 치수 안정성을 갖는 비 복합 구조로 인해 바닥 고리에 가장 적합한 기본 재료입니다. 이러한 특성은 바닥 링이 속도로 열 순환을 허용하므로 서비스 중에 기계적 성능의 일관된 연속성을 보여줍니다. SIC 외부 코팅은 CVD (Chemical Vapor 증착) 공정을 사용하여 적용되어 조밀하고 결함이없는 세라믹 외부 층을 제조합니다. 또한, CVD 공정은 기본 기판 흑연을 방해하지 않도록 SIC 코팅을 처리함으로써 마모 및 입자 생성을 제한하는 공정을 제공한다. SIC 및 흑연의 합병으로서, SIC 표면층은 공정 가스의 부식성 작용, 특히 수소 및 염소화 부산물과 함께 화학적으로 불활성이며, 우수한 경도 및 내마모성을 갖는데, 이는 사용 중에 웨이퍼 캐리어 시스템에 대한 많은지지를 보장한다.

8 인치 에피 하단 링은 실리콘, 실리콘 카바이드 또는 화합물 반도체를 증착하는 대부분의 수평 또는 수직 MOCVD 및 CVD 에피 택셜 도구와 호환성을 위해 만들어졌습니다. 최적화 된 지오메트리는 웨이퍼 회전에서 정확한 정렬, 범용 열 분포 및 안정성으로 웨이퍼 홀더 시스템의 감수기 및 상단 구성 요소에 맞게 설계되었습니다. 링 속성의 우수한 평평성과 동심성은 에피 택셜 층 균일 성을 가져오고 웨이퍼 표면의 결함을 최소화합니다.

이 SIC 코팅 된 흑연 고리의 장점 중 하나는 가공 중에 웨이퍼의 오염을 최소화하는 낮은 입자 방출 거동입니다. SIC 층은 깨끗한 챔버 환경 및 더 높은 수율 속도를 달성하기 위해 코팅되지 않은 흑연 성분과 비교하여 아웃 가스 및 탄소 입자의 생성을 낮 춥니 다. 또한 복합 구조의 우수한 열 충격 저항은 제품의 수명을 연장하고 반도체 제조업체의 교체 및 운영 비용을 낮추는 것입니다.

모든 바닥 링은 차원에서 점검하고 표면 품질을 확인하고 열 사이클 테스트되어 반도체 제조 환경의 중요한 환경 요구를 충족시킵니다. 또한, SiC 표면 코팅 두께는 기계적 및 열 전위 호환성에 적합하다. SIC 코팅은 바닥 고리가 고온 증착에 노출 될 때 껍질을 벗기거나 벗겨지는 것을 보장하는 접착제 인자에 대해 일상적으로 검사됩니다. 평평한 바닥 링은 개별 반응기 설계 및 프로세스 응용 분야에 대한 사소한 치수 및 코팅 속성 변형으로 사용자 정의 할 수 있습니다.

Semicorex의 Semicorex 8 인치 에피 바닥 링은 강도, 화학 저항 및 에피 택셜 성장 시스템에 대한 유리한 열 특성의 균형 균형을 제공합니다. SIC 코팅 흑연의 알려진 이점으로 인해,이 바닥 고리는 고온 증착 공정에서 더 높은 웨이퍼 품질, 오염 확률이 낮으며 더 긴 서비스 수명을 제공합니다. 이 바닥 링은 Si, SIC 또는 III-V 재료 에피 택셜 성장과 함께 사용하도록 설계되었습니다. 까다로운 반도체 재료를 생산할 때 안정적이고 반복 가능한 편안함을 제공하도록 만들어졌습니다.