ALD 유성 서셉터

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고유전체 증착: ALD 유성 서셉터는 산화 하프늄(HfO2) 및 산화 알루미늄(Al2O3)과 같은 고유전율 유전체 재료를 증착하는 데 사용되는 공격적인 전구체에 대해 탁월한 저항성을 보여줍니다. 이로 인해 ALD 유성 서셉터는 로직 및 메모리 애플리케이션용 고성능 트랜지스터를 제조하는 데 적합합니다.

금속화 층: ALD 유성 서셉터의 높은 온도 안정성 덕분에 높은 온도에서 금속화 층을 증착할 수 있어 저항률이 낮아지고 밀도가 높아지는 등 필름 특성이 향상됩니다. 이는 고급 반도체 장치에서 효율적인 상호 연결을 만드는 데 중요합니다.

광전자 장치 제작:ALD 유성 서셉터의 불활성 특성은 III-V 반도체와 같은 민감한 재료를 증착하는 데 사용되는 전구체와의 원치 않는 반응을 최소화하므로 ALD 유성 서셉터는 LED, 레이저 및 기타 광전자 부품 제조에 완벽하게 적합합니다.

ALD 사이클

원자층 증착(ALD)다른 박막 증착 기술에 비해 몇 가지 주요 이점을 제공하므로 특히 마이크로전자공학 및 나노기술 분야의 다양한 응용 분야에서 점점 인기를 얻고 있습니다.

ALD의 주요 장점은 다음과 같습니다.

1. 옹스트롬 수준의 두께 제어:

ALD를 사용하면 막 두께를 옹스트롬 수준(0.1나노미터)까지 정밀하게 제어할 수 있습니다. 이러한 수준의 정밀도는 각 주기가 단일 원자층을 증착하는 자체 제한 표면 반응을 통해 달성됩니다.

2. 우수한 균일성과 정합성:

ALD는 트렌치 및 비아와 같은 고종횡비 기능을 포함하여 넓은 표면적과 복잡한 3D 구조에 걸쳐 탁월한 균일성을 나타냅니다. 이는 반도체 장치와 같이 복잡한 형상에 균일한 코팅이 필요한 응용 분야에 매우 중요합니다.

3. 낮은 증착 온도:

ALD는 다른 증착 기술에 비해 상대적으로 낮은 온도(종종 300°C 미만)에서 수행할 수 있습니다. 이는 열에 민감한 기판에 유리하며 더 넓은 범위의 재료를 사용할 수 있습니다.

4. 고품질 필름:

ALD는 일반적으로 밀도가 뛰어나고 불순물 수준이 낮으며 조성과 두께가 균일한 필름을 생산합니다. 이러한 특성은 다양한 응용 분야에서 최적의 성능을 달성하는 데 필수적입니다.

5. 다양한 재료 선택:

ALD는 산화물, 질화물, 금속 및 황화물을 포함하여 증착할 수 있는 다양한 재료를 제공합니다. 이러한 다양성으로 인해 광범위한 응용 분야에 적합합니다.

6. 확장성 및 산업적 적용성:

ALD 기술은 확장성이 뛰어나며 기존 제조 공정에 쉽게 통합될 수 있습니다. 다양한 기판 크기 및 모양과 호환되므로 대량 생산에 적합합니다.