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GaN 에피택시 캐리어

GaN 에피택시 캐리어

Semicorex GaN Epitaxy Carrier는 첨단 재료와 정밀 엔지니어링을 통합하여 반도체 제조의 중추적인 역할을 합니다. CVD SiC 코팅이 특징인 이 캐리어는 탁월한 내구성, 열 효율성 및 보호 기능을 제공하여 업계에서 독보적인 위치를 차지하고 있습니다. Semicorex는 품질과 비용 효율성을 융합한 고성능 GaN 에피택시 캐리어를 제조 및 공급하는 데 전념하고 있습니다.

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제품 설명

Semicorex GaN 에피택시 캐리어는 웨이퍼 에피택셜 공정을 위해 설계되었으며 용광로 내에서 웨이퍼를 안전하게 운반하는 데 탁월합니다. GaN 에피택시 캐리어는 고급 전자 및 광전자 장치를 생산하는 데 필요한 고품질의 재현 가능한 박막과 에피택시 레이어를 얻는 데 중요합니다.


GaN 에피택시 캐리어의 흑연 기판은 최첨단 화학 기상 증착(CVD) 실리콘 카바이드(SiC) 코팅으로 강화되었습니다. 이 SiC 층은 화학 기상 증착을 통해 꼼꼼하게 도포되어 에피택시 공정 중 화학 반응과 마모로부터 강력한 보호 기능을 제공합니다. 또한 GaN 에피택시 캐리어의 SiC 코팅은 캐리어의 열 특성을 개선하여 웨이퍼의 효율적이고 균일한 가열을 촉진합니다. 이러한 균일한 가열은 반도체 웨이퍼에 일관되고 고품질의 에피택셜 층을 생성하는 데 필수적입니다.


다양한 반도체 웨이퍼 크기에 맞게 맞춤화할 수 있는 Semicorex GaN 에피택시 캐리어는 다양한 생산 요구 사항을 충족하는 다용도 솔루션입니다. 특정 크기, 모양 또는 코팅 두께가 필요한지 여부에 관계없이 당사 팀은 고객과 협력하여 정확한 사양을 충족하고 고유한 응용 분야에 맞게 성능을 최적화하는 솔루션을 개발합니다.



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